CBB大電容貼片電容具有容量大，體積小，容易片式化等特點(diǎn)，是當(dāng)今移動(dòng)通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)板卡以及家電遙控器中使用最多的元件之一。為了滿足電子設(shè)備的整機(jī)向小型化、大容量化、高可靠性和低成本方向發(fā)展的需要，CBB大電容貼片電容本身也在迅速地發(fā)展：種類不斷增加，體積不斷縮小，性能不斷提高，技術(shù)不斷進(jìn)步，材料不斷更新，輕薄短小系列產(chǎn)品已趨向于標(biāo)準(zhǔn)化和通用化。其應(yīng)用正逐步由消費(fèi)類設(shè)備向投資類設(shè)備滲透和發(fā)展。

　　此外，CBB大電容貼片電容還在朝著多元化的方向發(fā)展：

　　①為了適應(yīng)便攜式通信工具的需求，CBB大電容貼片電容器正向低電壓、大容量、超小和超薄的方向發(fā)展。

　　②為了適應(yīng)某些電子整機(jī)（如軍用通信設(shè)備）的發(fā)展，高耐壓、大電流、大功率、超高Q值、低ESR型的中高壓CBB大電容貼片電容器也是目前的一個(gè)重要的發(fā)展方向。

　　③為了適應(yīng)線路高度集成化的要求，多功能復(fù)合CBB大電容貼片電容器正成為技術(shù)研究熱點(diǎn)。

　　1片式疊層陶瓷介質(zhì)電容器

　　在CBB大電容貼片電容器里用得最多的是片式疊層陶瓷介質(zhì)電容器。

　　片式疊層陶瓷電容器（MLCC），簡(jiǎn)稱片式疊層電容器（或進(jìn)一步簡(jiǎn)稱為CBB大電容貼片電容器），是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器，片式疊層陶瓷電容器是一個(gè)多層疊合的結(jié)構(gòu)，其實(shí)質(zhì)是由多個(gè)簡(jiǎn)單平行板電容器的并聯(lián)體。因此，該電容器的電容量計(jì)算公式為

　　C=NKA／t

　　式中，C為電容量；N為電極層數(shù)；K為介電常數(shù)（俗稱K值）；A為相對(duì)電極覆蓋面積；t為電極間距（介質(zhì)厚度）。

　　由此式可見(jiàn)，為了實(shí)現(xiàn)片式疊層陶瓷電容器大容量和小體積的要求。只要增大N（增加層數(shù)）便可增大電容量。當(dāng)然采用高K值材料（降低穩(wěn)定性能）、增加A（增大體積）和減小t（降低電壓耐受能力）也是可以采取的辦法。

　　這里特別說(shuō)一說(shuō)介電常數(shù)K值，它取決于電容器中填充介質(zhì)的陶瓷材料。電容器使用的環(huán)境溫度、工作電壓和頻率、以及工作的時(shí)間（長(zhǎng)期工作的穩(wěn)定性）等對(duì)不同的介質(zhì)會(huì)有不同的影響，具體參考HTTP://WWW.HQEW.COM/TECH/DR/200010060007_142.HTML。通常介電常數(shù)（K值）越大，穩(wěn)定性、可靠性和耐用性能越差。

　　常用的陶瓷介質(zhì)的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入適量的稀土類氧化物等配制而成。其特點(diǎn)是介質(zhì)系數(shù)較大、介質(zhì)損耗低、溫度系數(shù)小、環(huán)境溫度適用范圍廣和高頻特性好，用在要求較高的場(chǎng)合（I類瓷介電容器）中。

　　另一類是低頻高介材料稱為強(qiáng)介鐵電陶瓷，常用作Ⅱ類瓷介電容器的介質(zhì)，一般以BaTiO3為主體的鐵電陶瓷，其特點(diǎn)是介電系數(shù)特別高，達(dá)到數(shù)千，甚至上萬(wàn)；但是介電系數(shù)隨溫度呈非線性變化，介電常數(shù)隨施加的外電場(chǎng)也有非線性關(guān)系。

　　目前最常用的多層陶瓷電容器介質(zhì)有三個(gè)類型：COG或NPO是超穩(wěn)定材料，K值為10～100；X7R是較穩(wěn)定的材料，K值為2000～4000；Y5V或Z5U為一般用途的材料，K值為5000～25000。在我國(guó)的標(biāo)準(zhǔn)里則分為I類陶瓷（CC4和CC41）及Ⅱ類陶瓷（CT4和CT41）兩種。上述材料中，COG和NPO為超穩(wěn)定材料，在-55℃～+125℃范圍內(nèi)電容器的容量變化不超過(guò)±30ppm／℃。