高頻二極管主要用于開(kāi)關(guān)、檢波、調(diào)制、解調(diào)及混頻等非線性變換電路中。
高頻二極管有哪些----高頻二極管主要參數(shù)
1）最大整流電流IFM
二極管在長(zhǎng)期穩(wěn)定工作時(shí)，允許通過(guò)的最大正向平均電流。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)PN結(jié)要引起管子發(fā)熱，電流太大，發(fā)熱量超過(guò)限度，就會(huì)使PN結(jié)燒壞，所以在實(shí)際應(yīng)用時(shí)工作電流通常小于IFM。
2）最大可重復(fù)峰值反向電壓VRRM
指所能重復(fù)施加的反向最高峰值電壓，通常是反向擊穿電壓VBR的一半。擊穿時(shí)，反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模踔烈蜻^(guò)熱而燒壞。
3）反向恢復(fù)時(shí)間Trr
當(dāng)工作電壓從正向電壓變成反向電壓時(shí)，電流不能瞬時(shí)截止，需延遲一段時(shí)間，延遲的時(shí)間就是反向恢復(fù)時(shí)間。Trr直接影響二極管的開(kāi)關(guān)速度，在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，通常此值越小越好。大功率開(kāi)關(guān)管工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，此項(xiàng)指標(biāo)至為重要，Trr越小管子升溫越小，效率越高。
4）結(jié)電容CJ
圖1所示的PN結(jié)高頻等效電路，其中r表示結(jié)電阻，CJ表示結(jié)電容，包括勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的總效果，它的大小除了與本身結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)外，還與外加電壓有關(guān)。當(dāng)PN結(jié)處于正向偏置時(shí)，r為正向電阻，其數(shù)值很小，結(jié)電容較大（主要決定于擴(kuò)散電容CD）。當(dāng)PN結(jié)處于反向偏置時(shí)，r為反向電阻，其數(shù)值較大，結(jié)電容較小（主要決定于勢(shì)壘電容CB）。
5）正向電壓降VF
二極管通過(guò)額定正向電流時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。通常硅材料的二極管VF大于1V，鍺材料、肖特基二極管為0.5V左右。
6）反向電流IR
指管子擊穿時(shí)的反向電流，其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂谩７聪螂娏鱅R與溫度有密切聯(lián)系，溫度越高，反向電流IR會(huì)急劇增加，所以在使用二極管時(shí)要注意溫度的影響。
一般半導(dǎo)體器件手冊(cè)中都給出不同型號(hào)管子的參數(shù)，這是正確使用二極管的依據(jù)。在高頻應(yīng)用場(chǎng)合，要注意不要超過(guò)最大整流電流和最高反向工作電壓的同時(shí)，還應(yīng)特別注意二極管的最高工作頻率（通常由反向恢復(fù)時(shí)間Trr和結(jié)電容CJ決定），否則電路工作不正常或者管子升溫嚴(yán)重，影響可靠性。
高頻二極管有哪些----常用高頻二極管
1、快恢復(fù)二極管FRD（FastRecoveryDiode）
快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。
注意事項(xiàng)
1）有些單管，共三個(gè)引腳，中間的為空腳，一般在出廠時(shí)剪掉，但也有不剪的。2）若對(duì)管中有一只管子損壞，則可作為單管使用。3）測(cè)正向?qū)▔航禃r(shí)，必須使用R×1檔。若用R×1k檔，因測(cè)試電流太小，遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流，故測(cè)出的VF值將明顯偏低。在上面例子中，如果選擇R×1k檔測(cè)量，正向電阻就等于2.2kΩ，此時(shí)n′=9格。由此計(jì)算出的VF值僅0.27V，遠(yuǎn)低于正常值（0.6V）。
2、超快恢復(fù)二極管SRD（SuperfastRecoveryDiode）
超快恢復(fù)二極管是在快恢復(fù)二極管基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，其反向恢復(fù)時(shí)間Trr比FRD更短，是極有發(fā)展前途的電力、電子半導(dǎo)體器件。