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開(kāi)關(guān)二極管和PIN二極管 - 高頻二極管有哪些_高頻二極管型號(hào)大全

2018年01月05日 11:38 電子發(fā)燒友整理 作者: 用戶(hù)評(píng)論(0

5、開(kāi)關(guān)二極管

開(kāi)關(guān)二極管是半導(dǎo)體二極管的一種,是為在電路上進(jìn)行“開(kāi)”、“關(guān)”而特殊設(shè)計(jì)制造的一類(lèi)二極管。它由導(dǎo)通變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通所需的時(shí)間比一般二極管短,常見(jiàn)的有2AK、2DK等系列,主要用于電子計(jì)算機(jī)、脈沖和開(kāi)關(guān)電路中。

開(kāi)關(guān)二極管工作原理

半導(dǎo)體二極管導(dǎo)通時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合(電路接通),截止時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)打開(kāi)(電路切斷),所以二極管可作開(kāi)關(guān)用,常用型號(hào)為1N4148。由于半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)щ姷奶匦?,在正偏壓下PN結(jié)導(dǎo)通,在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻很小,約為幾十至幾百歐;在反向偏壓下,則呈截止?fàn)顟B(tài),其電阻很大,一般硅二極管在10ΜΩ以上,鍺管也有幾十千歐至幾百千歐。利用這一特性,二極管將在電路中起到控制電流接通或關(guān)斷的作用,成為一個(gè)理想的電子開(kāi)關(guān)。

以上的描述,其實(shí)適用于任何一支普通的二極管,或者說(shuō)是二極管本身的原理。但針對(duì)于開(kāi)關(guān)二極管,最重要的特點(diǎn)是高頻條件下的表現(xiàn)。

高頻條件下,二極管的勢(shì)壘電容表現(xiàn)出來(lái)極低的阻抗,并且與二極管并聯(lián)。當(dāng)這個(gè)勢(shì)壘電容本身容值達(dá)到一定程度時(shí),就會(huì)嚴(yán)重影響二極管的開(kāi)關(guān)性能。極端條件下會(huì)把二極管短路,高頻電流不再通過(guò)二極管,而是直接繞路勢(shì)壘電容通過(guò),二極管就失效了。而開(kāi)關(guān)二極管的勢(shì)壘電容一般極小,這就相當(dāng)于堵住了勢(shì)壘電容這條路,達(dá)到了在高頻條件下還可以保持好的單向?qū)щ娦缘男Ч?/p>

6、PIN型二極管(PINDiode)

普通的二極管由PN結(jié)組成。在P和N半導(dǎo)體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(Intrinsic)半導(dǎo)體層,組成的這種P-I-N結(jié)構(gòu)的二極管就是PIN二極管。正因?yàn)橛斜菊鳎↖ntrinsic)層的存在,PIN二極管應(yīng)用很廣泛,從低頻到高頻的應(yīng)用都有,主要用在RF領(lǐng)域,用作RF開(kāi)關(guān)和RF保護(hù)電路,也有用作光電二極管(PhotoDiode)。PIN二極管包括PIN光電二極管和PIN開(kāi)關(guān)二極管。

PIN二極管在不同偏置下的工作狀態(tài)

1)正偏下:PIN二極管加正向電壓時(shí),P區(qū)和N區(qū)的多子會(huì)注入到I區(qū),并在I區(qū)復(fù)合。當(dāng)注入載流子和復(fù)合載流子相等時(shí),電流I達(dá)到平衡狀態(tài)。而本征層由于積累了大量的載流子而電阻變低,所以當(dāng)PIN二極管正向偏置時(shí),呈低阻特性。正向偏壓越大,注入I層的電流就越大,I層載流子越多,使得其電阻越小。下圖是正偏下的等效電路圖,可以看出其等效為一個(gè)很小的電阻,阻值在0.1Ω和10Ω之間。

高頻二極管有哪些_高頻二極管型號(hào)大全

正向偏壓下PIN二極管的等效電路圖

2)零偏下:當(dāng)PIN二極管兩端不加電壓時(shí),由于實(shí)際的I層含有少量的P型雜質(zhì),所以在IN交界面處,I區(qū)的空穴向N區(qū)擴(kuò)散,N區(qū)的電子向I區(qū)擴(kuò)散,然后形成空間電荷區(qū)。由于I區(qū)雜質(zhì)濃度相比N區(qū)很低,多以耗盡區(qū)幾乎全部在I區(qū)內(nèi)。在PI交界面,由于存在濃度差(P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于I區(qū)),也會(huì)發(fā)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),但是其影響相對(duì)于IN交界面小的多,可以忽略不計(jì)。所以當(dāng)零偏時(shí),I區(qū)由于存在耗盡區(qū)而使得PIN二極管呈現(xiàn)高阻狀態(tài)。

3)反偏下:反偏情況跟零偏時(shí)很類(lèi)似,所不同的是內(nèi)建電場(chǎng)會(huì)得到加強(qiáng),其效果是使IN結(jié)的空間電荷區(qū)變寬,且主要是向I區(qū)擴(kuò)展。此時(shí)的PIN二極管可以等效為電阻加電容,其電阻是剩下的本征區(qū)電阻,而電容是耗盡區(qū)的勢(shì)壘電容。下圖是反偏下PIN二極管的等效電路圖,可以看出電阻范圍在1Ω到100Ω之間,電容范圍在0.1pF到10pF之間。當(dāng)反向偏壓過(guò)大,使得耗盡區(qū)充滿(mǎn)整個(gè)I區(qū),此時(shí)會(huì)發(fā)生I區(qū)穿通,此時(shí)PIN管不能正常工作了。

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反向偏壓下PIN二極管的等效電路圖

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