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溶解部分光刻膠 - 沙子做的CPU憑什么賣那么貴?

2016年11月25日 08:57 超能網 作者:梁俊豪 用戶評論(0

  8.溶解部分光刻膠

  對曝光后的晶圓進行顯影處理。以正光刻膠為例,噴射強堿性顯影液后,經紫外光照射的光刻膠會發生化學反應,在堿溶液作用下發生化學反應,溶解于顯影液中,而未被照射到的光刻膠圖形則會完整保留。顯影完畢后,要對晶圓表面的進行沖洗,送入烘箱進行熱處理,蒸發水分以及固化光刻膠。

  

  9.蝕刻

  將晶圓浸入內含蝕刻藥劑的特制刻蝕槽內,可以溶解掉暴露出來的晶圓部分,而剩下的光刻膠保護著不需要蝕刻的部分。期間施加超聲振動,加速去除晶圓表面附著的雜質,防止刻蝕產物在晶圓表面停留造成刻蝕不均勻。

  

  10.清除光刻膠

  通過氧等離子體對光刻膠進行灰化處理,去除所有光刻膠。此時就可以完成第一層設計好的電路圖案。

  

  11.重復第6-8步

  由于現在的晶體管已經3D FinFET設計,不可能一次性就能制作出所需的圖形,需要重復第6-8步進行處理,中間還會有各種成膜工藝(絕緣膜、金屬膜)參與到其中,以獲得最終的3D晶體管。

  

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( 發表人:方泓翔 )

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