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• 發布了文章 2024-04-29 11:49

  SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰

  

  碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關頻率等主要優勢。離子注入是在硅器件中產生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時存在一些挑戰。在本文中，我們將重點介紹其中的一些，同時總結它們在GaN功率器件中的一些潛在應用。01有幾個因素決

  GaN SiC 功率器件

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• 發布了文章 2024-04-28 13:47

  一種軟件可配置的SiC MOSFET門驅動方法

  

  SiC技術已廣泛應用于電動汽車、工業、可再生能源/電網和其他應用的中壓和高壓應用中。為了充分發揮其優勢，系統開發人員必須首先抵消其更快的開關速度帶來的不良副作用。01由于基于SiC的系統設計的復雜性不斷增加，傳統柵極驅動器不足以解決這些與SiC相關的挑戰。這些傳統柵極驅動器專為與速度慢得多的硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)配合使用而設計。想要實現更快的上市時間

  MOSFET SiC 驅動

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• 發布了文章 2024-04-26 11:43

  華為攜手車企成立「超充聯盟」，引領智慧電動新紀元

  

  在第十八屆北京國際汽車展覽會召開前夕，華為在其2024華為智慧電動&智慧充電網絡戰略與新品發表會上，公布了一項劃時代的戰略。華為數字能源總裁侯金龍在大會上詳細闡釋了「一體三面」的電動化戰略，并正式宣布與多家車企、充電運營商及產業伙伴聯手成立了旨在推動電動車充電革命的「超充聯盟」。侯金龍在發布會中指出，中國新能源汽車市場經過十余年的蓬勃發展，如今迎來了三個顯著

  華為 汽車充電 電動車

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• 發布了文章 2024-04-26 11:37

  氫能汽車和電能汽車誰是未來?

  

  當我們站在這個時代的十字路口，回望過去的工業歷程，不免為那些曾推動社會進步的能源選擇感到矛盾。化石燃料，這個曾經的工業革命之星，如今卻成為了全球環境與能源挑戰的一部分。隨著溫室氣體的累積和全球氣候的劇烈變化，我們迫切的需要對未來出行方式進行重塑。01氫能汽車與電能汽車，這兩位可持續出行解決方案的佼佼者，就在這樣的背景下嶄露頭角。它們不僅承諾將尾氣排放降至最低

  新能源汽車 氫能汽車 電池

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• 發布了文章 2024-04-25 11:40

  全球MCU市場強勁增長，英飛凌鞏固全球汽車MCU市場龍頭地位

  

  近日，TechInsights發布了一份最新研究報告，報告顯示英飛凌在全球汽車半導體市場的份額實現了顯著增長。具體數據表明，英飛凌的市場份額從2022年的近13%提升到了2023年的大約14%，這一增長進一步鞏固了其作為全球汽車半導體市場領導者的地位。TechInsights的研究報告指出，英飛凌在全球所有地區的市場份額都有所提升，特別是在韓國和中國，英飛凌

  mcu 半導體 英飛凌

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• 發布了文章 2024-04-25 11:38

  如何看待半導體行業未來的新趨勢

  

  如何看待半導體行業未來的新趨勢

  人工智能 半導體 芯片

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• 發布了文章 2024-04-24 11:48

  碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來提供動力

  

  隨著人們更加注重可持續性發展的經濟新模式，我們的居住方式、工作狀態以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發生相應的變化。尤其是在交通運輸領域的變革，因為我們需要減少對化石燃料等不可再生資源的依賴，以減輕對環境的影，推動了一系列能夠顯著提升效率并加快電氣化轉變的產品的問世。功率半導體技術近年來快速進步，配備了碳化硅(SiC)MOSFET的電動汽車(EV)如今能夠行駛

  MOSFET 汽車 碳化硅

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• 發布了文章 2024-04-23 10:49

  利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導體結

  

  盡管傳統高壓平面MOSFET取得了進步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級結MOSFET(例如意法半導體的MDmesh技術)通過晶圓上又深又窄的溝槽來應對這些挑戰。01該技術非常適合開關模式電源，采用超級結多漏極結構來降低漏源壓降。高漏電或軟擊穿電壓等問題可能是由塊狀形成中的污染物或缺陷引??起的。因此，

  GaN SiC 功率半導體

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• 發布了文章 2024-04-22 13:52

  臺灣晶圓代工與IC封裝測試2023年均為全球第一

  

  臺灣作為全球半導體產業領航者，匯聚著眾多全球領先的半導體公司。根據駐新加坡臺北代表處發布最新一期《2023年臺灣與全球半導體供應鏈回顧》報告，在晶圓代工和集成電路(IC)封裝測試方面，2023年臺灣均位居第一。報告稱，臺積電在全球半導體晶圓代工市場上保持優勢地位，其產值之市占率從2022年的55.4%，提升至2023年的58.9%，并在2023年第四季達到6

  IC封裝 晶圓

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• 發布了文章 2024-04-22 13:51

  氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發的優勢與挑戰

  

  氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優勢也推動了它在多樣化應用中的電源轉換使用，例如數據中心、可再生能源和電動汽車。在本文中，我們將探討創建GaN功率集成電路(ICs)的一些優勢和挑戰。01創造GaN功率IC的動機基于硅的功率管理集成電路(PMICs)被

  IC 氮化鎵 氮化鎵電源 集成電路

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