深圳市浮思特科技有限公司文章

• 荷蘭政府加強半導體設備出口管制，確保技術安全！2025-01-17 11:38

  

  近日，荷蘭政府宣布，從2025年4月1日起，將對出口先進半導體設備實施更加嚴格的管制措施。這一決定引發了業界的廣泛關注，尤其是全球半導體行業的重要企業和相關合作伙伴。根據荷蘭政府發布的信息，新出口管制措施主要針對數量“非常有限”的先進技術。具體而言，這些技術涉及測量和檢測設備，特別是用于檢測晶圓微小缺陷的技術，以及改進沉積和蝕刻工藝的設備。荷蘭貿易部發言人在

  ASML 半導體設備 晶圓 180瀏覽量

• HMI在智能制造與工業自動化中的作用2025-01-17 11:34

  

  在工業4.0時代，先進技術的融入正在徹底改變工業運作的方式。在實現無縫操作的過程中，人機界面(HMI)是不可或缺的關鍵組成部分。HMI在智能制造與工業自動化中扮演了至關重要的角色，使操作員和工程師能夠與機器、系統和相關流程進行交互。那么，HMI究竟是什么?為什么它在現代制造業中如此重要?HMI的定義人機界面(HMI，Human-MachineInterfac

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• 英飛凌推出MOTIX™ BTM90xx系列，助力汽車智能低壓電機控制2025-01-16 10:57

  

  隨著全球汽車行業的不斷發展，智能化、節能化和高可靠性成為汽車制造商追求的核心目標。汽車用戶對駕駛體驗的要求日益提高，傳統被視為優質的功能如今已成為基礎配置，未來的車輛用戶體驗將在很大程度上依賴于先進的智能技術。針對這一趨勢，英飛凌科技(InfineonTechnologies)推出了全新的MOTIX™BTM90xx系列全橋/H橋集成電路(IC)，為有刷直流電

  汽車 電機控制 英飛凌 164瀏覽量

• 垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術2025-01-16 10:55

  

  垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法。這項技術為橫向和垂直GaN(vGaN)器件的單片集成提供了一種簡單且可靠的潛在方法。垂直GaN器件橫向GaNHEMT器件已廣泛應用于許多領域，包括電源適配器和數據中

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• 三星推出全新無線充電芯片S2MIW06，支持最高50W無線快充2025-01-15 11:06

  

  2025年1月14日，全球科技巨頭三星正式宣布推出其最新的無線充電芯片S2MIW06。這款芯片以其突破性的性能與全面兼容性迅速引起了業界的廣泛關注。S2MIW06不僅支持最高50W的無線快充，還具備反向無線充電功能，為用戶提供了更高效便捷的無線充電解決方案。作為無線充電技術領域的又一重要里程碑，三星S2MIW06芯片將無線充電功率提升至最高50W，這將使充電

  充電芯片 無線充電 無線快充 201瀏覽量

• 高壓逆變器中的載波基礎PWM技術比較2025-01-15 11:01

  

  高壓逆變器是可再生能源系統的重要組成部分，這些逆變器依賴脈寬調制(PWM)來控制電力轉換過程。PWM使得波形生成和電力質量的精確控制成為可能，同時有效地抑制諧波。通過調節電壓脈沖的寬度，可以在高壓逆變器中近似出所需的交流波形，從而實現有效且平穩的電力傳輸給負載。載波波形的形狀在與參考信號進行比較時區分了不同的PWM技術。主要的三種載波基礎PWM技術包括三角波

  PWM 電力轉換器 逆變器 高壓逆變器 91瀏覽量

• 2024全球半導體市場增長，區域表現分化趨勢明顯2025-01-14 11:04

  

  根據美國半導體行業協會(SIA)近日發布的數據顯示，2024年11月全球半導體銷售額達到578億美元，環比增長1.6%，連續第八個月實現月度增長，同時也創下了新的歷史紀錄。這一數據表明，全球半導體行業在經歷過去幾年的波動后，正在持續復蘇并保持強勁的增長態勢。在全球半導體銷售表現中，美洲地區成為最大的亮點。11月，美洲地區的銷售額達到195億美元，占全球總額的

  半導體 芯片 391瀏覽量

• 高電壓轉換器與電動車應用：NPC多電平逆變器為何如此關鍵?2025-01-14 11:02

  

  隨著能源需求的持續增長，電流在傳輸和利用過程中出現了許多問題。特別是，智能電網的增長和可再生能源的使用對電能的“質量”提出了更高的要求，例如減少諧波和在電網中平衡有功與無功功率的能力，因此需要使用靜態無功補償器(STATCOM)。簡單來說，它們由電力電子設備組成，動態提供無功功率支持，在負載或發電波動期間幫助穩定電壓水平。通常，它們位于高電壓側(從30kV到

  多電平逆變器 電動車 轉換器 109瀏覽量

• 瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領域應用2025-01-13 11:41

  

  近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術有效降低了MOSFET的導通電阻(Rdson)高達30%，從而顯著減少了功率損耗，為

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• SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩定性能？2025-01-13 11:40

  

  隨著DC/DC電源轉換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業電機驅動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應用對功率密度的需求日益提高，系統的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達175°C溫度下安全運行的元器件。基于寬禁帶材料(如碳化硅，SiC)制造的器件滿足了這一要求，并在這些應用中越來越受歡迎。然而，即使是SiCMOSFET，在高溫下也會表現出復雜的行為，

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