動態

• 發布了文章 2025-05-08 11:09

  Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩定性

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管，SiCMOSFET)，這些新產品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產品在性能指標(FoM)上處于行業領先水平，之前僅提供工業級版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標準認證，這些MOSFET現已適合用于多種應用場景，包括車載充電器(OBC)、電動車

  Nexperia SiC MOSFET 汽車

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• 發布了文章 2025-05-08 11:08

  基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅動器

  

  對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數、過沖/欠沖現象以及功率損耗最小化問題，而驅動電路在這些方面都起著關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換器的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現高效率，還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換器

  MOSFET 氮化鎵 驅動器

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• 發布了文章 2025-05-07 11:15

  浮思特 | 創新燒結式溫度傳感器：實現功率電子器件精準溫控的關鍵突破

  

  燒結工藝可提供更優異的電氣和熱性能表現。在功率電子應用中，這種直接將半導體芯片及傳感器等相關無源元件固定于基板的技術，已成為焊接工藝極具吸引力的替代方案。結合碳化硅等寬禁帶半導體材料的使用，該技術可使功率電子器件的工作溫度突破200°C，顯著超越傳統焊接型硅基元件150°C的峰值溫度限制。隨著工作溫度提升，模塊整體過熱風險加劇，因此實現高精度、低延遲的溫度監

  溫度傳感器 溫控 電子器件

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• 發布了文章 2025-05-06 14:08

  新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊

  

  近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動汽車及工業應用的效率和可靠性。這些優化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環境下穩定運行，標志著電力電子技術的又一次進步。英飛凌發布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動系統。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統，相

  IGBT SiC 高電壓

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• 發布了文章 2025-05-06 14:03

  AI人工智能崛起：高性能MOSFET如何重塑能效架構

  

  本文將聚焦AI對數據中心架構的影響，以及這些變化對服務器和機架技術的意義。具體而言，我們將探討轉向48V架構如何提升數據中心能效，以及高性能硅基MOSFET如何應用于服務器、機架及相關設備以支持這一架構演進。數據中心與電力當前數據中心約占全球總用電量的2%，但到2030年可能攀升至7%。直觀來看，屆時全球數據中心的整體用電量將與當今印度全國的電力消耗規模相當

  AI MOSFET 人工智能

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• 發布了文章 2025-04-30 11:54

  芯聯集成2024年營收65.09億元：SiC業務領跑亞洲

  

  近日，國內半導體龍頭芯聯集成發布2024年全年業績公告。數據顯示，公司全年實現營業收入65.09億元，其中主營業務收入62.76億元，同比增長27.8%;歸母凈利潤大幅減虧超50%，毛利率首次轉正至1.03%，標志著公司經營質量顯著提升。作為第三代半導體核心材料，碳化硅(SiC)的產業化進展備受關注。芯聯集成在SiCMOSFET領域表現亮眼，出貨量穩居亞洲市

  SiC 半導體

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• 發布了文章 2025-04-29 11:49

  面板驅動IC市場動態解析：策略調整與價格走勢

  

  根據全球知名市場研究機構TrendForce的最新研究報告，今年上半年，面板行業品牌在操作策略上的調整，間接改變了面板驅動IC(DriverIC)的價格走勢。這一趨勢引發了業內人士的關注，尤其是在全球經濟不確定性加大的背景下，面板驅動IC的市場動態尤為重要。在過去的幾個月中，各大品牌廠和面板廠相繼調整了備貨節奏。這種調整使得庫存水平逐漸回歸到一個更為健康的狀

  IC 面板驅動

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• 發布了文章 2025-04-29 11:47

  浮思特 | 萊姆電子(LEM)高精度數字電流傳感器技術解析

  

  在電力電子系統中，電流測量精度與可靠性直接影響系統性能。作為全球電流傳感器技術領導者，萊姆電子(LEM)推出的HMSRDA系列數字傳感器，通過多項專利技術創新，為現代工業與汽車電子提供了突破性解決方案。圖1核心技術創新1、Σ-Δ數字調制架構萊姆電子獨有的二階Σ-Δ調制技術，實現模擬信號到數字比特流的直接轉換。該技術已應用于HMSRDA系列，具備三大技術特性：

  lem 傳感器 電流傳感器

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• 發布了文章 2025-04-28 11:28

  意法半導體收購多倫多初創公司Deeplite，助力邊緣AI技術發展！

  

  近日，意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布已成功收購加拿大多倫多的初創公司Deeplite。這一戰略性收購旨在加強意法半導體在邊緣人工智能(AI)技術領域的布局，并將Deeplite打造為其全資子公司，以便在未來更好地開發和推廣先進的邊緣AI解決方案。Deeplite成立于2019年，是一家專注于AI模型優化的軟件公司。其核心技術

  ST 人工智能 意法半導體

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• 發布了文章 2025-04-28 11:27

  浮思特 | SiC技術2025：突破性進展與產業變革

  

  隨著電動汽車、可再生能源系統和高性能計算等新興技術將傳統硅技術推向極限，材料科學正在不斷發展以滿足新的性能需求。功率半導體技術面臨著在多樣化嚴苛應用中實現更高電壓運行、更優熱管理和更高能效的壓力。圖12024年，碳化硅功率電子領域取得多項重大進展，這一趨勢持續至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在電子行業中，MOSFET、IGBT和肖特基二極管等開關

  SiC 功率半導體

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