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• 發布了文章 2023-10-16 14:02

  了解半導體的重要性及其應用

  

  半導體，也稱為微芯片或集成電路（IC），通常由硅、鍺或砷化鎵等純元素制成。最常用的半導體材料是硅（Si），但也常用其他材料，例如鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）。其電導率介于絕緣體（如非金屬）和導體（如金屬）之間，其電導率可隨雜質、溫度或電場等因素而變化。

  功率半導體 半導體 半導體行業 芯片

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• 發布了文章 2023-10-13 16:12

  英飛凌：收購超寬帶先驅 3db Access

  

  英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）2023 年 10 月 4 日宣布，英飛凌已收購總部位于蘇黎世的初創公司 3db Access AG (3db)，該公司是安全低功耗 Ultra 領域的先驅-寬帶 (UWB) 技術如今已成為主要汽車品牌的首選 IP 提供商。

  UWB 寬帶 英飛凌

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• 發布了文章 2023-10-13 15:08

  智能功率模塊 (IPM)：概念、特性和應用

  

  “功率模塊”是指存在功率開關元件（通常是 IGBT），該模塊是“智能”的，因為它包含額外的控制和保護電路。目標是優化性能并使整體解決方案更易于設計和實施。

  IPM 模塊 驅動

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• 發布了文章 2023-10-12 11:59

  智能功率模塊（IPM）為工業設備提供卓越保護

  

  高集成度IPM是逆變器的好伙伴，IPM一般采用高速、低功耗的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為功率開關元件，并集成電流傳感器、保護電路和柵極驅動電路。IPM以其高可靠性和易用性贏得了越來越大的市場，特別適用于驅動電機的變頻器和各種逆變器，是變頻調速、冶金機械、電力牽引的理想電力電子裝置。

  IGBT IPM 設備

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• 發布了文章 2023-10-11 13:50

  智能功率模塊市場，2031年預測

  

  2021年全球智能功率模塊市場估值為16億美元，預計到2031年將達到37億美元，2022年至2031年復合年增長率為8.7%。

  IPM 功率模塊 晶體管

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• 發布了文章 2023-10-10 16:02

  GaN 技術能否縮小 5G 毫米波的性能差距？

  

  毫無疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實現這些改進帶來了挑戰。因此，功率 IC 制造商正在尋求更高效的技術，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體，以提高這些新網絡的性能并降低成本。

  5G GaN 射頻 毫米波 氮化鎵

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• 發布了文章 2023-10-09 14:21

  如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅動器

  

  額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此，高端設計通常選擇專用的 SiC 核心驅動器，這會考慮到更快的開關、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說：“你總是可以使用標準柵極驅動器，但你必須用額外的電路來補充它，通常這就是權衡?！?

  IGBT MOSFET SiC 半導體

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• 發布了文章 2023-10-09 14:20

  如何使用萬用表測試 IGBT

  

  通過目視檢查、測量電氣參數、評估柵極驅動和開關特性以及在應力條件下進行測試，可以識別潛在故障。然而，這種萬用表測試只能提供有關 IGBT 功能的有限信息。為了對 IGBT 進行更全面的評估，建議進行柵極驅動測試、開關性能分析等額外測試。

  IGBT 萬用表 測試

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• 發布了文章 2023-10-08 15:24

  SiC 和 GaN：兩種半導體的發展

  

  在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產品便宜得多，并且不會很快從電力應用中消失。但一級制造商和原始設備制造商表示，將高功率密度碳化硅應用到逆變器設計中，可以降低系統級成本，因為需要更少的組件，從而節省了空間和重量。

  GaN SiC 氮化鎵 碳化硅 第三代半導體

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• 發布了文章 2023-10-07 11:34

  GaN技術：電子領域的下一波浪潮

  

  GaN技術正在電力電子領域嶄露頭角，受到了廣泛的關注和投資。這一前沿技術在汽車、消費電子和航空航天等領域，特別是在功率轉換應用中，展現了巨大的潛力。這將有助于滿足全球減排壓力，推動更高效的電力轉換和電氣化，為未來的電子器件設計師提供了全新的可能性。

  GaN 氮化鎵 電動汽車

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