上圖中,把所有器件都想象為理想狀態(tài)下,開關(guān)S1閉合和斷開的過程,流過L1的電流的波形是怎樣的?
2023-10-25 09:51:392697 基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng),同步Buck變換器的續(xù)流開關(guān)管、以及次級(jí)同步整流開關(guān)管, 其體內(nèi)寄生的二極管都會(huì)經(jīng)歷反向電流恢復(fù)的過程。
2023-12-04 16:05:40821 海飛樂技術(shù)20V MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開關(guān)用
2020-03-03 17:36:16
MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時(shí)間可以改變電壓?jiǎn)幔?
2023-05-16 14:26:16
MOSFET管的耐壓在150左右,電流在80A左右,MOSFET管怎么選擇?什么型號(hào)的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝??
2016-12-24 14:26:59
,損失也越大。下圖是MOS管導(dǎo)通時(shí)的波形。可以看出,導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。降低開關(guān)時(shí)間,可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開關(guān)頻率,可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法
2016-11-24 15:27:49
【不懂就問】在單端反激電路中常見的一部分電路就是RCD組成的吸收電路,或者鉗位電路,與變壓器原邊并聯(lián)其目的是吸收MOSFET在關(guān)斷時(shí),引起的突波,尖峰電壓電流到那時(shí)MOSFET是壓控器件,為什么在關(guān)斷時(shí)會(huì)引起尖峰電壓電流?怎么在三極管BJT的應(yīng)用中看不到類似吸收電路
2018-07-10 10:03:18
)上下開關(guān)管50%占空比,1800對(duì)稱的驅(qū)動(dòng)電壓波形;2)感性諧振腔并有足夠的感性電流;3)要有足夠的死區(qū)時(shí)間維持ZVS。圖a)是典型的LLC串聯(lián)諧振電路。圖b)是感性負(fù)載下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-13 09:48:50
: 1)上下開關(guān)管50%占空比,1800對(duì)稱的驅(qū)動(dòng)電壓波形; 2)感性諧振腔并有足夠的感性電流; 3)要有足夠的死區(qū)時(shí)間維持ZVS。 圖a)是典型的LLC串聯(lián)諧振電路。圖b)是感性負(fù)載下
2018-11-21 15:52:43
)上下開關(guān)管50%占空比,1800對(duì)稱的驅(qū)動(dòng)電壓波形;2)感性諧振腔并有足夠的感性電流;3)要有足夠的死區(qū)時(shí)間維持ZVS。圖a)是典型的LLC串聯(lián)諧振電路。圖b)是感性負(fù)載下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-18 10:09:10
如題。請(qǐng)問一下,MOSFET的手冊(cè)里面哪個(gè)參數(shù)能看的出來(lái),當(dāng)其作為開關(guān)管,完全打開的時(shí)候,Vgs的電壓?同事跟我講,默認(rèn)12V大多數(shù)都可以完全打開(NMOS)。低于12V就有點(diǎn)懸,MOS打開不完全
2020-11-11 21:37:41
。?MOSFET的漏極電壓和電流及輸出整流二極管的耐壓?變壓器的飽和?Vcc電壓?輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形?溫度測(cè)量和損耗測(cè)量?電解電容器 首先,說(shuō)明通常規(guī)格的評(píng)估,并說(shuō)明檢查要點(diǎn)的區(qū)別。下表作為
2018-11-27 16:50:30
第四部份似乎很相似,這樣做可行么?問題分析:系統(tǒng)短路的時(shí)候,功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū),降低驅(qū)動(dòng)電壓,可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流,從而降低系統(tǒng)的短路電流,從短路保護(hù)的角度而言,確實(shí)有一定
2016-12-21 11:39:07
請(qǐng)問buck-boost電路,輸入10~15v,輸出5v,開關(guān)管MOSFET使用IRF540N,驅(qū)動(dòng)電路使用IR2117對(duì)嗎?如果對(duì)的話,那為什么輸出波形與理想的差距很大,而且輸出的平均值與理論的也相差很大。
2015-06-04 16:02:35
最近在調(diào)試PFC,上電瞬間,TT PFC的高頻下半橋就短路了,燒了好幾只管子,后面發(fā)現(xiàn)是Mosfet的驅(qū)動(dòng)電阻沒有貼上,請(qǐng)問這個(gè)對(duì)Mos的影響有多大?多大的電壓、電流會(huì)使得開關(guān)管失效?
2021-04-07 21:02:00
放在底部MOSFET的低端,如圖5所示。此處監(jiān)測(cè)峰值開關(guān)電流(也是峰值電感電流),每半個(gè)周期產(chǎn)生一個(gè)電流波形。MOSFET開關(guān)切換導(dǎo)致電流信號(hào)具有很強(qiáng)的開關(guān)噪聲。圖5.帶低端RSENSE的升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-26 09:31:08
的低端 檢測(cè)電阻也可以放在底部MOSFET的低端,如圖5所示。此處監(jiān)測(cè)峰值開關(guān)電流(也是峰值電感電流),每半個(gè)周期產(chǎn)生一個(gè)電流波形。MOSFET開關(guān)切換導(dǎo)致電流信號(hào)具有很強(qiáng)的開關(guān)噪聲。圖5.帶低端
2022-04-20 18:51:11
開關(guān)電源PCB Layout原則現(xiàn)在以同步整流BUCK電路為例分析開關(guān)電源Layout原則首先分析工作原理,下文用SM指代Switch MOSFET,RM指代Recifier MOSFET。SM
2021-10-28 07:00:55
,勵(lì)磁電流經(jīng)二極管D流向復(fù)位繞組,最后減小到零,此時(shí)Q兩端電壓下降到Vdc。圖2所示是開關(guān)管集電極電流和電壓波形。可見,開關(guān)管不帶緩沖電路時(shí),在Q關(guān)斷時(shí),其兩端的漏感電壓尖峰很大,產(chǎn)生的關(guān)斷損耗也很大
2018-11-21 16:22:57
開關(guān)電源功率是由開關(guān)管的最大電流決定嗎?例如5v1a的電源,開關(guān)管選多大的電流,這個(gè)電流是如何算出來(lái)的?謝謝
2023-04-04 16:56:04
寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET,其驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會(huì)影響MOSFET的開關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之后, 選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)連接電源IC與MOS管就顯得尤其
2017-01-09 18:00:06
可以放在底部MOSFET的低端,如圖5所示。此處監(jiān)測(cè)峰值開關(guān)電流(也是峰值電感電流),每半個(gè)周期產(chǎn)生一個(gè)電流波形。MOSFET開關(guān)切換導(dǎo)致電流信號(hào)具有很強(qiáng)的開關(guān)噪聲。圖5 帶低端RSENSE的升壓轉(zhuǎn)換器
2021-03-09 09:11:18
參數(shù)和各種儀表數(shù)據(jù)。 4、輔助電源實(shí)現(xiàn)電源的軟件(遠(yuǎn)程)啟動(dòng),為保護(hù)電路和控制電路(PWM等芯片)工作供電。 二、開關(guān)電路輸出波形的分析 1.單管反激電路基本結(jié)構(gòu) 2. 兩種模式DCM
2018-12-03 11:06:30
改善開關(guān)電流電路主要誤差的方案
2019-04-26 11:43:23
FM7318A采用電流模式PWM 控制技術(shù),具有逐周期峰值電流限制功能。由于緩沖二極管反向恢復(fù)電流和內(nèi)部功率MOSFET柵極浪涌電流,會(huì)在MOSFET導(dǎo)通瞬間的開關(guān)電流上引起脈沖電流,開關(guān)電流流過SENSE
2020-07-06 10:57:25
部分對(duì)于LLC工作過程中MOSFET的波形進(jìn)行進(jìn)一步分析,更對(duì)容易失效的問題點(diǎn)進(jìn)行研究。 上面的圖給出了啟動(dòng)時(shí)功率MOSFET前五個(gè)開關(guān)波形。在變換器啟動(dòng)開始前,諧振電容和輸出電容剛好完全放電。與正常工作狀況
2019-09-17 09:05:04
對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在看波形,看輸入波形,MOS 開關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS 管的 GS 波形,我們拿開關(guān) GS 波形為例來(lái)聊一下 GS 的波形。我們測(cè)試
2020-10-01 13:30:00
時(shí)的波形可以看到,SiC-MOSFET原理上不流過尾電流,因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中,SiC-MOSFET+SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)的組合與IGBT+FRD(快速恢復(fù)二極管)的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
二極管的Vf特性,。Vgs為0V即MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下,沒有通道電流,因此該條件下的Vd-Id特性可以說(shuō)是體二極管的Vf-If特性。如“何謂碳化硅”中提到的,SiC的帶隙更寬,Vf比
2018-11-27 16:40:24
。 首先,在SiC-MOSFET的組成中,發(fā)揮了開關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了Si IGBT很難實(shí)現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2個(gè)晶體管并聯(lián)組成了1個(gè)開關(guān)
2018-11-27 16:38:39
vishay半導(dǎo)體的NMOS管si2302的Id是2.1A,Is是0.6A。當(dāng)這個(gè)管子用來(lái)做開關(guān)電路時(shí),開關(guān)電流最大以Id為準(zhǔn)還是Is ?
2016-06-02 11:24:33
版)實(shí)用電力電子技術(shù)叢書《MOSFET、IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用》MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)電源中的MOSFET性能的四項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試PFC中開關(guān)mosfet驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與講解電流采樣運(yùn)放電路、電壓電流的跟蹤比較器電路、開關(guān)mosfet驅(qū)動(dòng)電路的聯(lián)動(dòng)分析
2019-04-19 17:45:32
特別小的電流。通過分析,我們知道,Igs電流是和Vgs電壓是反過來(lái)的。上面這張圖包含了MOSFET相關(guān)的一些波形關(guān)系,當(dāng)然也是理想的波形圖。另外,還有朋友在實(shí)測(cè)時(shí),發(fā)現(xiàn)Vds電壓波形與Id的電流波形
2021-06-17 12:34:06
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子
2021-01-30 13:20:31
使用,BM6101是一款電流隔離芯片,通過它進(jìn)行兩級(jí)驅(qū)動(dòng)Mosfet管。而驅(qū)動(dòng)的電壓就是通過開關(guān)電源調(diào)整得到的電壓,驅(qū)動(dòng)電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。利用示波器在在這時(shí)對(duì)柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認(rèn)識(shí)到,SiC MOSFET 的輸出開關(guān)電流變化率 (di/dt) 遠(yuǎn)高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時(shí)振蕩、電磁干擾以及輸出級(jí)損耗。高開關(guān)速度還可能導(dǎo)致電壓過沖。滿足高電壓應(yīng)用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
以AC/DC Boost開關(guān)電源為例,如圖1所示,主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠(yuǎn)比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管(BJT)/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管)圍繞的功率MOSFET)。但在多數(shù)情況下,使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)在哪里一
2018-09-03 15:17:57
演示電路1160是具有2.3A開關(guān)電流的全功能LED驅(qū)動(dòng)器,具有LT3518特性。該電路板經(jīng)過優(yōu)化,可在升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中驅(qū)動(dòng)330mA LED串,輸入電壓和40V之間的總LED電壓
2020-08-20 08:38:54
功率MOSFET管的電流值有哪幾種?如何去選取這些電流值呢?這些電流值又是如何影響系統(tǒng)的呢?
2021-09-08 08:00:58
大于B管,因此選取的MOSFET開關(guān)損耗占較大比例時(shí),需要優(yōu)先考慮米勒電容Crss的值。整體開關(guān)損耗為開通及關(guān)斷的開關(guān)損耗之和:從上面的分析可以得到以下結(jié)論:(1)減小驅(qū)動(dòng)電阻可以減小線性區(qū)持續(xù)的時(shí)間
2017-03-06 15:19:01
的開關(guān)過程基于電流源來(lái)討論。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)加在功率MOSFET的柵極時(shí),開通過程分為4個(gè)模式(階段),其等效電路如圖2所示。圖2:功率MOSFET開通過程圖3:功率MOSFET開通波形(1) 模式M1
2017-02-24 15:05:54
和關(guān)斷過程實(shí)驗(yàn)電路:2)MOSFET 的電壓和電流波形:3)開關(guān)過程原理:開通過程[ t0 ~ t4 ]:在 t0 前,MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài),t0 時(shí),MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開通;[t0-t1]區(qū)間
2021-08-29 18:34:54
;該區(qū)間內(nèi)GS 電容繼續(xù)放電直至零。因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET開關(guān)波形(1):實(shí)驗(yàn)電路(2):因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET 開關(guān)波形功率MOSFET的功率損耗公式(1):導(dǎo)通損耗該公式對(duì)控制
2021-09-05 07:00:00
%的VDS的最大電壓到90%的VDS最大電壓的時(shí)間。圖1:阻性開關(guān)測(cè)試電路和波形測(cè)試時(shí),所用的負(fù)載為電阻, 也就是電流和電壓線性的變化:開通時(shí),電流從0線性地增加到最大值的同時(shí),電壓也線性地從最大值下降到0
2016-12-16 16:53:16
和關(guān)斷過程原理(1):開通和關(guān)斷過程實(shí)驗(yàn)電路(2):MOSFET 的電壓和電流波形(3):開關(guān)過程原理開通過程[ t0 ~ t4 ]:-- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài),t0
2018-10-25 16:11:27
這個(gè)是現(xiàn)在的電路,然后我測(cè)得的上管的電流波形如下圖所示1是上管電流,4是上管驅(qū)動(dòng),2是下管電流2,3通道分別為開關(guān)管DS電壓現(xiàn)在電壓加不上去,加到400V左右管子就受不住了,而且電流波形與仿真差別有點(diǎn)大,可能是什么原因造成的呢?
2018-12-12 10:45:04
,導(dǎo)致Cp上的電壓降低。反激開關(guān)MOSFET 源極流出的電流(Is)波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。 很多工程師在電源開發(fā)調(diào)試過程中,測(cè)的的波形的一些關(guān)鍵點(diǎn)不是很清楚,下面針對(duì)反激電源實(shí)測(cè)波形來(lái)分析一下。問題一
2018-10-10 20:44:59
本應(yīng)用指南討論了使用CMOS IC驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET的不同步進(jìn)電機(jī)控制方法及電路,其中包括移位寄存器相位發(fā)生、比較器開關(guān)電流限制及使用同步整流。
2014-09-22 17:19:48
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關(guān)管,TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路,請(qǐng)問怎么驅(qū)動(dòng)MOSFET,,,加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答!
2014-11-15 16:35:11
必須將基端子接地,如圖6所示。 圖6.PNP晶體管的開關(guān)電路 用于計(jì)算集電極電流、基極電阻和電壓的PNP晶體管方程與NPN計(jì)算中使用的公式相同。區(qū)別在于開關(guān)電流。對(duì)于PNP,開關(guān)電流是源電流
2023-02-20 16:35:09
倍所引起的問題在MOSFET管的使用中也已不存在。
在關(guān)斷過程中,因?yàn)?MOSFET管電流下降速度很快,輸出端的下降電流和上升電壓在較低的電流下會(huì)發(fā)生重疊,從而減小了重疊損耗即交流開關(guān)損耗(1.3.4 節(jié))。這樣就可以簡(jiǎn)化甚至不需要緩沖器了(第11章)。
2023-09-28 06:33:09
MOSFET)。但在多數(shù)情況下,使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)在哪里一個(gè)典型系統(tǒng)包括一個(gè)電源和多個(gè)負(fù)載,需要各種不同的負(fù)載電流,如Bluetooth?、Wi-Fi或處理器軌。多數(shù)
2022-11-17 08:05:25
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
開關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù),提出了一套“輔助補(bǔ)償”算法。基于這套算法,對(duì)開關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù)進(jìn)行了理論分析和計(jì)算機(jī)仿真。仿真結(jié)果表明了這套算法的可行性和先進(jìn)性。開關(guān)電源MOSFET的交越損耗分析
2020-07-15 15:17:28
封裝在開關(guān)速度、效率和驅(qū)動(dòng)能力等方面的有效性。最后,第四節(jié)分析了實(shí)驗(yàn)波形和效率測(cè)量,以驗(yàn)證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用傳統(tǒng)的TO247封裝的MOSFET A.開關(guān)
2018-10-08 15:19:33
怎樣去選擇MOS開關(guān)管額定電流?選擇MOS開關(guān)管額定電流要考慮哪些?
2021-10-08 09:02:17
, 接下來(lái)我們分析LLC轉(zhuǎn)換器在啟機(jī), 短路, 動(dòng)態(tài)負(fù)載下的工作情況。 3.21 啟機(jī)狀態(tài)分析 通過LLC 仿真我們得到如圖3所示的波形,在啟機(jī)第一個(gè)開關(guān)周期,上下管會(huì)同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)短暫的峰值電流
2018-12-03 11:00:50
。數(shù)據(jù)表中ID只考慮導(dǎo)通損耗,在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中,要計(jì)算功率MOSFET的最大功耗包括導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、寄生二極管的損耗等,然后再據(jù)功耗和熱阻來(lái)校核結(jié)溫,保證其結(jié)溫小于最大的允許值,最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31:59
,MOSFET與三極管一樣,當(dāng)MOSFET應(yīng)用于放大電路時(shí),通常要使用此曲線研究其放大特性。只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數(shù),而MOSFET管使用柵極電壓、漏極電流和跨導(dǎo)。圖2:AOT460
2016-11-29 14:36:06
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
基于開關(guān)電流技術(shù)與數(shù)字CMOS工藝的延遲線電路設(shè)計(jì)
2019-04-26 11:41:28
雙極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好?
2021-04-20 06:36:55
開關(guān)電流電路中的時(shí)鐘饋通誤差和傳輸誤差分析,如何解決開關(guān)電流電路的誤差問題?
2021-04-12 07:04:33
關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應(yīng)對(duì)措施關(guān)于負(fù)載開關(guān)OFF時(shí)的逆電流關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會(huì)暫時(shí)流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出
2019-07-23 01:13:34
小波變換開關(guān)電流電路CAD設(shè)計(jì)(2)
2019-04-18 07:55:58
圖1:開關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí),驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段(圖
2022-11-16 08:00:15
摘要:為了提高數(shù)字通信電路的速度,設(shè)計(jì)了兩種BiCMOS開關(guān)電流存儲(chǔ)器。設(shè)計(jì)過程中在電路的關(guān)鍵部位配置有限的雙極型晶體管(BJT),但在電路的主體部分則設(shè)置MOS器件。推導(dǎo)出了存
2010-05-13 09:04:1316 對(duì)第一代開關(guān)電流存儲(chǔ)單元產(chǎn)生的時(shí)鐘饋通誤差做了合理的近似分析,設(shè)計(jì)了一種高性能開關(guān)電流存儲(chǔ)單元。該電路僅在原存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)MOS管,使誤差降為原來(lái)的4%,
2010-07-05 14:50:4822 基于開關(guān)電流電路提出一種用小波濾波器實(shí)現(xiàn)小波變換的方法。通過對(duì)母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式,并以Mexican Hat小波為例模擬該逼近過程,用Matlab對(duì)逼近過程進(jìn)
2010-12-10 17:41:1926 開關(guān)電流技術(shù)(SI)是一種可取代開關(guān)電容技術(shù)的數(shù)據(jù)采樣技術(shù)。首先介紹了SI技術(shù),然后以SI電路基本單元為例,分析了SI電路存在的各種誤差,并針對(duì)這些誤差提出了解決方法
2010-12-20 09:45:3537 低電壓甲乙類開關(guān)電流存儲(chǔ)單元
引言 開關(guān)電流存儲(chǔ)單元是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號(hào)處理系統(tǒng)的基本單元電路,其性能的優(yōu)
2007-08-15 16:06:29563 LT3517 - 具1.5A開關(guān)電流的全功能LED驅(qū)動(dòng)器
特點(diǎn)5000:1 True Color PWMTM 調(diào)光比 1.5A、45V 內(nèi)部開關(guān) 100mV 高端電流檢測(cè) 開路 LED 保
2010-04-12 16:52:32754 O 引言
開關(guān)電流技術(shù)是近年來(lái)提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比,開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器,
2010-08-11 09:27:21676 開關(guān)電流技術(shù)是一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。它具有電流模電路的特有優(yōu)點(diǎn),如速度快,適合于低電壓工作等。與傳統(tǒng)的開關(guān)電容技術(shù)相比,開關(guān)電流技術(shù)不需
2010-08-11 09:32:551034 摘要:開關(guān)電源已是當(dāng)今二次電源的主要發(fā)展方向,在開關(guān)電源的分析與設(shè)計(jì)中,對(duì)開關(guān)工作時(shí)所形成的電壓波形及其參數(shù)的分析是致關(guān)重要的。為了分析開關(guān)電源的工作特性,研究了開關(guān)電源的電路模型及電壓波形的形成過程,針對(duì)分析開關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù),
2011-02-22 16:20:14205 講述了用信號(hào)流圖和積分器設(shè)計(jì) 開關(guān)電流濾波器 的方法。本方法簡(jiǎn)明直觀,無(wú)力概念清楚,容易推廣到其他開關(guān)電流濾波器的設(shè)計(jì)
2011-06-13 18:28:4859 基于IIR數(shù)字網(wǎng)絡(luò)的開關(guān)電流電路小波變換方法_童耀南
2017-01-07 21:45:570 開關(guān)電流--數(shù)字工藝的模擬技術(shù)
2017-09-11 17:01:176 基于開關(guān)電流電路提出一種用小波濾波器實(shí)現(xiàn)小波變換的方法。通過對(duì)母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式,并以Mexican Hat小波為例模擬該逼近過程,用Matlah對(duì)逼近過程進(jìn)行仿真,同時(shí)
2017-12-06 17:15:2518 及非線性跨導(dǎo)系數(shù)等參數(shù)。詳細(xì)介紹了建立分析模型的原理,并給出了分析模型中各關(guān)鍵參數(shù)的提取方法。對(duì)比了基于分析模型計(jì)算得到的開關(guān)波形與實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果,對(duì)比電壓電流波形匹配度較高,證明了此分析模型的正確性。對(duì)比了分析模型的開關(guān)損耗與基于實(shí)驗(yàn)計(jì)算的開關(guān)損耗,
2018-03-13 15:58:3813 開關(guān)電流技術(shù)是一種模擬取樣信號(hào)處理新技術(shù),主要應(yīng)用于開關(guān)電流濾波器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。由于開關(guān)電流電路無(wú)需使用雙層多晶硅電容,因此電路可以采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS數(shù)字工藝實(shí)現(xiàn),從而降低了制造成本;采用
2020-05-21 08:03:001280 開關(guān)電流技術(shù)是近年來(lái)提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比,開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器,整個(gè)電路均由MOS管構(gòu)成,因此可與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容
2018-09-29 08:57:0011558 LT3952A:帶4A開關(guān)電流數(shù)據(jù)表的60V LED驅(qū)動(dòng)器
2021-03-23 10:37:362 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 LT3952:帶4A開關(guān)電流數(shù)據(jù)表的60V LED驅(qū)動(dòng)器
2021-04-17 19:40:375 LT3518:功能齊全的LED驅(qū)動(dòng)器,帶2.3A開關(guān)電流數(shù)據(jù)表
2021-05-13 16:11:381 LT3517:全功能LED驅(qū)動(dòng)器,1.5A開關(guān)電流數(shù)據(jù)表
2021-05-24 11:15:365 對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在看波形,看輸入波形,MOS開關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我們拿開關(guān)GS波形為例來(lái)聊一下GS的波形。
2022-08-14 10:09:072504 對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在看波形,看輸入波形,MOS開關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我們拿開關(guān)GS波形為例來(lái)聊一下GS的波形。
2023-04-10 09:42:001674 交流開關(guān)電源和直流開關(guān)電源的電流是不一樣的。 在交流電源中,電流是通過變壓器等電氣元件進(jìn)行電能變換和傳遞的,它是隨著電壓的正反方向不斷交替變化的,在整個(gè)交流周期內(nèi)多次改變方向和大小。因此,交流電源
2023-09-05 16:29:24655 開關(guān)電流與輸入輸出電流有什么關(guān)系,知道了開關(guān)電流限值,我們?cè)趺创_定最大輸入、輸出電流呢?
2023-12-15 11:09:50927 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關(guān)電流為2A的高輸入電壓降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器TPS63060數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:19:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有3.6A開關(guān)電流的2V 至16V 降壓-升壓轉(zhuǎn)換器TPS63070數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:35:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《10uA低功耗,1.5A開關(guān)電流高效同升壓FS2111數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-18 10:47:470
評(píng)論
查看更多