上圖中，把所有器件都想象為理想狀態下，開關S1閉合和斷開的過程，流過L1的電流的波形是怎樣的？
2023-10-25 09:51:39
2697 
基于橋式結構的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統，同步Buck變換器的續流開關管、以及次級同步整流開關管， 其體內寄生的二極管都會經歷反向電流恢復的過程。
2023-12-04 16:05:40821 
海飛樂技術20V MOSFET場效應管現貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開關用
2020-03-03 17:36:16
MOSFET(MOS管)中的“開關”時間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
，損失也越大。下圖是MOS管導通時的波形。可以看出，導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法
2016-11-24 15:27:49
【不懂就問】在單端反激電路中常見的一部分電路就是RCD組成的吸收電路，或者鉗位電路，與變壓器原邊并聯其目的是吸收MOSFET在關斷時，引起的突波，尖峰電壓電流到那時MOSFET是壓控器件，為什么在關斷時會引起尖峰電壓電流？怎么在三極管BJT的應用中看不到類似吸收電路
2018-07-10 10:03:18
）上下開關管50%占空比，1800對稱的驅動電壓波形；2）感性諧振腔并有足夠的感性電流；3）要有足夠的死區時間維持ZVS。圖a)是典型的LLC串聯諧振電路。圖b)是感性負載下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-13 09:48:50
： 1）上下開關管50%占空比，1800對稱的驅動電壓波形； 2）感性諧振腔并有足夠的感性電流； 3）要有足夠的死區時間維持ZVS。 圖a)是典型的LLC串聯諧振電路。圖b)是感性負載下
2018-11-21 15:52:43
）上下開關管50%占空比，1800對稱的驅動電壓波形；2）感性諧振腔并有足夠的感性電流；3）要有足夠的死區時間維持ZVS。圖a)是典型的LLC串聯諧振電路。圖b)是感性負載下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-18 10:09:10
如題。請問一下，MOSFET的手冊里面哪個參數能看的出來，當其作為開關管，完全打開的時候，Vgs的電壓？同事跟我講，默認12V大多數都可以完全打開(NMOS)。低于12V就有點懸，MOS打開不完全
2020-11-11 21:37:41
。?MOSFET的漏極電壓和電流及輸出整流二極管的耐壓?變壓器的飽和?Vcc電壓?輸出瞬態響應和輸出電壓上升波形?溫度測量和損耗測量?電解電容器 首先，說明通常規格的評估，并說明檢查要點的區別。下表作為
2018-11-27 16:50:30
第四部份似乎很相似，這樣做可行么？問題分析：系統短路的時候，功率MOSFET相當于工作在放大的線性區，降低驅動電壓，可以降低跨導限制的最大電流，從而降低系統的短路電流，從短路保護的角度而言，確實有一定
2016-12-21 11:39:07
請問buck-boost電路，輸入10~15v，輸出5v，開關管MOSFET使用IRF540N，驅動電路使用IR2117對嗎？如果對的話，那為什么輸出波形與理想的差距很大，而且輸出的平均值與理論的也相差很大。
2015-06-04 16:02:35
最近在調試PFC，上電瞬間，TT PFC的高頻下半橋就短路了，燒了好幾只管子，后面發現是Mosfet的驅動電阻沒有貼上，請問這個對Mos的影響有多大？多大的電壓、電流會使得開關管失效？
2021-04-07 21:02:00
放在底部MOSFET的低端，如圖5所示。此處監測峰值開關電流（也是峰值電感電流），每半個周期產生一個電流波形。MOSFET開關切換導致電流信號具有很強的開關噪聲。圖5．帶低端RSENSE的升壓轉換器
2021-02-26 09:31:08
的低端 檢測電阻也可以放在底部MOSFET的低端，如圖5所示。此處監測峰值開關電流（也是峰值電感電流），每半個周期產生一個電流波形。MOSFET開關切換導致電流信號具有很強的開關噪聲。圖5．帶低端
2022-04-20 18:51:11
開關電源PCB Layout原則現在以同步整流BUCK電路為例分析開關電源Layout原則首先分析工作原理，下文用SM指代Switch MOSFET，RM指代Recifier MOSFET。SM
2021-10-28 07:00:55
，勵磁電流經二極管D流向復位繞組，最后減小到零，此時Q兩端電壓下降到Vdc。圖2所示是開關管集電極電流和電壓波形。可見，開關管不帶緩沖電路時，在Q關斷時，其兩端的漏感電壓尖峰很大，產生的關斷損耗也很大
2018-11-21 16:22:57
開關電源功率是由開關管的最大電流決定嗎？例如5v1a的電源，開關管選多大的電流，這個電流是如何算出來的？謝謝
2023-04-04 16:56:04
寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。當電源IC與MOS管選定之后， 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其
2017-01-09 18:00:06
可以放在底部MOSFET的低端，如圖5所示。此處監測峰值開關電流（也是峰值電感電流），每半個周期產生一個電流波形。MOSFET開關切換導致電流信號具有很強的開關噪聲。圖5 帶低端RSENSE的升壓轉換器
2021-03-09 09:11:18
參數和各種儀表數據。 4、輔助電源實現電源的軟件（遠程）啟動，為保護電路和控制電路（PWM等芯片）工作供電。 二、開關電路輸出波形的分析 1．單管反激電路基本結構 2. 兩種模式DCM
2018-12-03 11:06:30
改善開關電流電路主要誤差的方案
2019-04-26 11:43:23
FM7318A采用電流模式PWM 控制技術，具有逐周期峰值電流限制功能。由于緩沖二極管反向恢復電流和內部功率MOSFET柵極浪涌電流，會在MOSFET導通瞬間的開關電流上引起脈沖電流，開關電流流過SENSE
2020-07-06 10:57:25
部分對于LLC工作過程中MOSFET的波形進行進一步分析，更對容易失效的問題點進行研究。 上面的圖給出了啟動時功率MOSFET前五個開關波形。在變換器啟動開始前，諧振電容和輸出電容剛好完全放電。與正常工作狀況
2019-09-17 09:05:04
對于咱們電源工程師來講，我們很多時候都在看波形，看輸入波形，MOS 開關波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS 管的 GS 波形，我們拿開關 GS 波形為例來聊一下 GS 的波形。我們測試
2020-10-01 13:30:00
時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應的開關損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復二極管）的關斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
二極管的Vf特性，。Vgs為0V即MOSFET在關斷狀態下，沒有通道電流，因此該條件下的Vd-Id特性可以說是體二極管的Vf-If特性。如“何謂碳化硅”中提到的，SiC的帶隙更寬，Vf比
2018-11-27 16:40:24
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發揮了開關性能的優勢實現了Si IGBT很難實現的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯組成了1個開關
2018-11-27 16:38:39
vishay半導體的NMOS管si2302的Id是2.1A，Is是0.6A。當這個管子用來做開關電路時，開關電流最大以Id為準還是Is ?
2016-06-02 11:24:33
版）實用電力電子技術叢書《MOSFET、IGBT驅動集成電路及應用》MOS管驅動電路總結電源中的MOSFET性能的四項關鍵測試PFC中開關mosfet驅動電路的設計與講解電流采樣運放電路、電壓電流的跟蹤比較器電路、開關mosfet驅動電路的聯動分析
2019-04-19 17:45:32
特別小的電流。通過分析，我們知道，Igs電流是和Vgs電壓是反過來的。上面這張圖包含了MOSFET相關的一些波形關系，當然也是理想的波形圖。另外，還有朋友在實測時，發現Vds電壓波形與Id的電流波形
2021-06-17 12:34:06
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進行兩級驅動Mosfet管。而驅動的電壓就是通過開關電源調整得到的電壓，驅動電路還如下圖黃框出提供了死區調整的電阻網絡。利用示波器在在這時對柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認識到，SiC MOSFET 的輸出開關電流變化率 (di/dt) 遠高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時振蕩、電磁干擾以及輸出級損耗。高開關速度還可能導致電壓過沖。滿足高電壓應用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
以AC/DC Boost開關電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產生的反向恢復電流的di/dt遠比輸出二極管D反向恢復電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管（BJT）/第二個場效應晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數情況下，使用全面集成的負載開關具有更顯著的優點。系統中的負載開關在哪里一
2018-09-03 15:17:57
演示電路1160是具有2.3A開關電流的全功能LED驅動器，具有LT3518特性。該電路板經過優化，可在升壓拓撲結構中驅動330mA LED串，輸入電壓和40V之間的總LED電壓
2020-08-20 08:38:54
功率MOSFET管的電流值有哪幾種？如何去選取這些電流值呢？這些電流值又是如何影響系統的呢？
2021-09-08 08:00:58
大于B管，因此選取的MOSFET開關損耗占較大比例時，需要優先考慮米勒電容Crss的值。整體開關損耗為開通及關斷的開關損耗之和：從上面的分析可以得到以下結論：（1）減小驅動電阻可以減小線性區持續的時間
2017-03-06 15:19:01
的開關過程基于電流源來討論。當驅動信號加在功率MOSFET的柵極時，開通過程分為4個模式（階段），其等效電路如圖2所示。圖2：功率MOSFET開通過程圖3：功率MOSFET開通波形(1) 模式M1
2017-02-24 15:05:54
和關斷過程實驗電路：2）MOSFET 的電壓和電流波形：3）開關過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態，t0 時，MOSFET 被驅動開通；[t0-t1]區間
2021-08-29 18:34:54
；該區間內GS 電容繼續放電直至零。因二極管反向恢復引起的MOSFET開關波形（1）：實驗電路（2）：因二極管反向恢復引起的MOSFET 開關波形功率MOSFET的功率損耗公式（1）：導通損耗該公式對控制
2021-09-05 07:00:00
%的VDS的最大電壓到90%的VDS最大電壓的時間。圖1：阻性開關測試電路和波形測試時，所用的負載為電阻， 也就是電流和電壓線性的變化：開通時，電流從0線性地增加到最大值的同時，電壓也線性地從最大值下降到0
2016-12-16 16:53:16
和關斷過程原理（1）：開通和關斷過程實驗電路（2）：MOSFET 的電壓和電流波形（3）：開關過程原理開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態，t0
2018-10-25 16:11:27
這個是現在的電路，然后我測得的上管的電流波形如下圖所示1是上管電流，4是上管驅動，2是下管電流2，3通道分別為開關管DS電壓現在電壓加不上去，加到400V左右管子就受不住了，而且電流波形與仿真差別有點大，可能是什么原因造成的呢？
2018-12-12 10:45:04
，導致Cp上的電壓降低。反激開關MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉折點的分析。 很多工程師在電源開發調試過程中，測的的波形的一些關鍵點不是很清楚，下面針對反激電源實測波形來分析一下。問題一
2018-10-10 20:44:59
本應用指南討論了使用CMOS IC驅動的功率MOSFET的不同步進電機控制方法及電路，其中包括移位寄存器相位發生、比較器開關電流限制及使用同步整流。
2014-09-22 17:19:48
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關管，TL494做脈沖寬度調制 (Pwm) 控制電路，請問怎么驅動MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
必須將基端子接地，如圖6所示。 圖6.PNP晶體管的開關電路 用于計算集電極電流、基極電阻和電壓的PNP晶體管方程與NPN計算中使用的公式相同。區別在于開關電流。對于PNP，開關電流是源電流
2023-02-20 16:35:09
倍所引起的問題在MOSFET管的使用中也已不存在。
在關斷過程中，因為 MOSFET管電流下降速度很快，輸出端的下降電流和上升電壓在較低的電流下會發生重疊，從而減小了重疊損耗即交流開關損耗（1.3.4 節)。這樣就可以簡化甚至不需要緩沖器了（第11章)。
2023-09-28 06:33:09
MOSFET）。但在多數情況下，使用全面集成的負載開關具有更顯著的優點。系統中的負載開關在哪里一個典型系統包括一個電源和多個負載，需要各種不同的負載電流，如Bluetooth?、Wi-Fi或處理器軌。多數
2022-11-17 08:05:25
開關管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優化方法及其利弊關系
2020-12-23 06:51:06
開關電源的電壓波形及其參數，提出了一套“輔助補償”算法。基于這套算法，對開關電源的電壓波形及其參數進行了理論分析和計算機仿真。仿真結果表明了這套算法的可行性和先進性。開關電源MOSFET的交越損耗分析
2020-07-15 15:17:28
封裝在開關速度、效率和驅動能力等方面的有效性。最后，第四節分析了實驗波形和效率測量，以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉換器中采用傳統的TO247封裝的MOSFET A.開關
2018-10-08 15:19:33
怎樣去選擇MOS開關管額定電流？選擇MOS開關管額定電流要考慮哪些？
2021-10-08 09:02:17
， 接下來我們分析LLC轉換器在啟機， 短路， 動態負載下的工作情況。 3.21 啟機狀態分析 通過LLC 仿真我們得到如圖3所示的波形，在啟機第一個開關周期，上下管會同時出現一個短暫的峰值電流
2018-12-03 11:00:50
。數據表中ID只考慮導通損耗，在實際的設計過程中，要計算功率MOSFET的最大功耗包括導通損耗、開關損耗、寄生二極管的損耗等，然后再據功耗和熱阻來校核結溫，保證其結溫小于最大的允許值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31:59
，MOSFET與三極管一樣，當MOSFET應用于放大電路時，通常要使用此曲線研究其放大特性。只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數，而MOSFET管使用柵極電壓、漏極電流和跨導。圖2：AOT460
2016-11-29 14:36:06
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
基于開關電流技術與數字CMOS工藝的延遲線電路設計
2019-04-26 11:41:28
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
開關電流電路中的時鐘饋通誤差和傳輸誤差分析，如何解決開關電流電路的誤差問題？
2021-04-12 07:04:33
關于負載開關ON時的浪涌電流關于Nch MOSFET負載開關ON時的浪涌電流應對措施關于負載開關OFF時的逆電流關于負載開關ON時的浪涌電流負載開關Q1導通瞬間會暫時流過比穩態電流大得多的電流。輸出
2019-07-23 01:13:34
小波變換開關電流電路CAD設計(2)
2019-04-18 07:55:58
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
摘要：為了提高數字通信電路的速度，設計了兩種BiCMOS開關電流存儲器。設計過程中在電路的關鍵部位配置有限的雙極型晶體管(BJT)，但在電路的主體部分則設置MOS器件。推導出了存
2010-05-13 09:04:13
16 對第一代開關電流存儲單元產生的時鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設計了一種高性能開關電流存儲單元。該電路僅在原存儲單元的基礎上增加了一個MOS管，使誤差降為原來的4%，
2010-07-05 14:50:4822 基于開關電流電路提出一種用小波濾波器實現小波變換的方法。通過對母小波的一種數值逼近得到小波函數的有理公式，并以Mexican Hat小波為例模擬該逼近過程，用Matlab對逼近過程進
2010-12-10 17:41:1926 開關電流技術(SI)是一種可取代開關電容技術的數據采樣技術。首先介紹了SI技術,然后以SI電路基本單元為例，分析了SI電路存在的各種誤差，并針對這些誤差提出了解決方法
2010-12-20 09:45:3537 低電壓甲乙類開關電流存儲單元
引言 開關電流存儲單元是電流模式采樣數據信號處理系統的基本單元電路，其性能的優
2007-08-15 16:06:29563 LT3517 - 具1.5A開關電流的全功能LED驅動器
特點5000：1 True Color PWMTM 調光比 1.5A、45V 內部開關 100mV 高端電流檢測 開路 LED 保
2010-04-12 16:52:32754 
O 引言
開關電流技術是近年來提出的一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術。與已成熟的開關電容技術相比，開關電流技術不需要線性電容和高性能運算放大器，
2010-08-11 09:27:21676 
開關電流技術是一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術。它具有電流模電路的特有優點，如速度快，適合于低電壓工作等。與傳統的開關電容技術相比，開關電流技術不需
2010-08-11 09:32:551034 
摘要：開關電源已是當今二次電源的主要發展方向，在開關電源的分析與設計中，對開關工作時所形成的電壓波形及其參數的分析是致關重要的。為了分析開關電源的工作特性，研究了開關電源的電路模型及電壓波形的形成過程，針對分析開關電源的電壓波形及其參數，
2011-02-22 16:20:14205 講述了用信號流圖和積分器設計 開關電流濾波器 的方法。本方法簡明直觀，無力概念清楚，容易推廣到其他開關電流濾波器的設計
2011-06-13 18:28:4859 基于IIR數字網絡的開關電流電路小波變換方法_童耀南
2017-01-07 21:45:570 開關電流--數字工藝的模擬技術
2017-09-11 17:01:176 基于開關電流電路提出一種用小波濾波器實現小波變換的方法。通過對母小波的一種數值逼近得到小波函數的有理公式，并以Mexican Hat小波為例模擬該逼近過程，用Matlah對逼近過程進行仿真，同時
2017-12-06 17:15:2518 及非線性跨導系數等參數。詳細介紹了建立分析模型的原理，并給出了分析模型中各關鍵參數的提取方法。對比了基于分析模型計算得到的開關波形與實驗測試結果，對比電壓電流波形匹配度較高，證明了此分析模型的正確性。對比了分析模型的開關損耗與基于實驗計算的開關損耗，
2018-03-13 15:58:3813 開關電流技術是一種模擬取樣信號處理新技術，主要應用于開關電流濾波器和模數轉換器設計。由于開關電流電路無需使用雙層多晶硅電容，因此電路可以采用標準的CMOS數字工藝實現，從而降低了制造成本；采用
2020-05-21 08:03:001280 
開關電流技術是近年來提出的一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術。與已成熟的開關電容技術相比，開關電流技術不需要線性電容和高性能運算放大器，整個電路均由MOS管構成，因此可與標準數字CMOS工藝兼容
2018-09-29 08:57:0011558 
LT3952A：帶4A開關電流數據表的60V LED驅動器
2021-03-23 10:37:362 功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 LT3952：帶4A開關電流數據表的60V LED驅動器
2021-04-17 19:40:375 LT3518：功能齊全的LED驅動器，帶2.3A開關電流數據表
2021-05-13 16:11:381 LT3517：全功能LED驅動器，1.5A開關電流數據表
2021-05-24 11:15:365 對于咱們電源工程師來講，我們很多時候都在看波形，看輸入波形，MOS開關波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關GS波形為例來聊一下GS的波形。
2022-08-14 10:09:072504 
對于咱們電源工程師來講，我們很多時候都在看波形，看輸入波形，MOS開關波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關GS波形為例來聊一下GS的波形。
2023-04-10 09:42:001674 
交流開關電源和直流開關電源的電流是不一樣的。 在交流電源中，電流是通過變壓器等電氣元件進行電能變換和傳遞的，它是隨著電壓的正反方向不斷交替變化的，在整個交流周期內多次改變方向和大小。因此，交流電源
2023-09-05 16:29:24655 開關電流與輸入輸出電流有什么關系，知道了開關電流限值，我們怎么確定最大輸入、輸出電流呢？
2023-12-15 11:09:50927 電子發燒友網站提供《開關電流為2A的高輸入電壓降壓 - 升壓轉換器TPS63060數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-07 10:19:370 電子發燒友網站提供《具有3.6A開關電流的2V 至16V 降壓-升壓轉換器TPS63070數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-07 10:35:090 電子發燒友網站提供《10uA低功耗，1.5A開關電流高效同升壓FS2111數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-03-18 10:47:470
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