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伯東公司日本原裝設計制造離子蝕刻機 IBE. 提供微米級刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, 伯東公司已累計交付約 500套離子刻蝕機.
伯東公司超過 50年的刻蝕 IBE 市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!
離子刻蝕機 4IBE 離子刻蝕機 20IBE 全自動蝕刻機 MEL 3100
離子蝕刻機 IBE 主要型號
伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機, 用于生產制造的大尺寸離子蝕刻機以及全自動蝕刻機.
配置美國 KRI 考夫曼離子源和德國 Pfeiffer 分子泵.
| 型號 | 4 IBE | 7.5 IBE | 16 IBE | 20 IBE-C | MEL 3100 |
| 樣品數量尺寸 | 4”φ, 1片 | 4”φ, 1片 | 6”φ, 1片 | 4”φ, 6片 6”φ, 4片 | 3”φ-6”φ,1片 |
| 離子束入射角度 | 0～± 90 | 0～± 90 | 0～± 90 | 0～± 90 | - |
| 考夫曼離子源 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 160 | 考夫曼型 | - |
| 極限真空度 Pa | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦8x10-5 |
| Pfeiffer 分子泵抽速 l/s | 350 | 350 | 1250 | 1250 | - |
| 均勻性 | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% |
離子蝕刻機特性:
1. 采用美國 KRI 考夫曼型離子源, 保障蝕刻速率和均勻性
2. 干式制程, 物理蝕刻的特性
3. 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
4. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
5. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面.
通 Ar 時, 對各種材料的刻蝕速率
離子蝕刻機應用
薄膜磁頭 Thin film Magnetic Head, 自旋電子學 Spintronics, MR Sencer
微電子機械系統 MEMS Micro-electromechanical Systems
射頻設備 RF Devices, 光學組件 Optical Component, 超導電性 Super Conductivity
Hakuto 日本原裝設計制造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
若您需要進一步的了解離子蝕刻機詳細信息, 請聯絡上海伯東葉女士 分機 107
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