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離子蝕刻機 4 IBE
伯東公司日本原裝進口小型離子蝕刻機, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
離子蝕刻機 4 IBE 技術規(guī)格
| 型號 | 4 IBE |
| 樣品數(shù)量尺寸 | 4”φ, 1片 |
| 離子束入射角度 | 0～± 90 |
| 考夫曼離子源 | KDC 40 |
| 極限真空度 Pa | ≦1x10-4 |
| Pfeiffer 分子泵抽速 l/s | 350 |
| 均勻性 | ≤±5% |
伯東離子蝕刻機主要優(yōu)點
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.
離子蝕刻機通不同氣體的蝕刻速率
Hakuto 日本原裝設計制造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
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