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伯東企業(yè)(上海)有限公司

上海伯東是德國Pfeiffer 全系列真空產品,美國 KRI 離子源,美國HVA 真空閥門,美國 inTEST熱流儀代理商

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美國 KRi 大面積射頻離子源

型號: RFICP 220

--- 產品參數 ---

  • 品牌 KRi
  • 產地 美國
  • 類型 RF射頻源

--- 產品詳情 ---

 

因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準

KRi 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國原裝進口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.
 

KRi 射頻離子源 RFICP220



KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:


KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸
 

射頻離子源 RFICP220


 

射頻離子源中和器



KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

射頻離子源 RFICP 220 集成于半導體設備, 實現(xiàn) 8寸芯片蝕刻
 

射頻離子源 RFICP220



1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請聯(lián)絡上海伯東葉女士,分機107
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