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CC13xx/26xx系列處理器的Launchpad開發平臺物美價廉，配備TI的CCSTUDIO[3]IDE，可以進行源代碼調試。CC13xx/26xx開發平臺配備了一片1MB的串行Flash存儲器，大小只有2mmx3mm!...
在大型模型應用領域，要獲得最佳性能，關鍵在于精密配置，特別是當GPU與InfiniBand網卡協同工作時。這里參考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系統，它倡導了一種GPU與InfiniBand網卡一對一配對的設計理念，并樹立了行業標桿。...
相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(低阻)與非晶態(高阻)之間的相互轉換來實現信息的存儲和擦除，通過測量電阻的變化讀出信息。...
DDR內存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數據，從而實現雙倍數據率。這意味著在每個時鐘周期內，DDR內存能夠傳輸兩次數據，提高了數據傳輸效率。...
1.web訪問存儲管理頁面 2.創建硬盤域 根據業務需求調整硬盤域 3.在硬盤域之上創建存儲池，分別創建一個文件及存儲StoragePool002和塊級存儲StoragePool001...
目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行3D DRAM的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。...
存內計算同樣是將計算和存儲合二為一的技術。它有兩種主要思路。第一種思路是通過電路革新，讓存儲器本身就具有計算能力。...
正如我們在最初涉足Celestial的產品戰略時所討論的那樣，該公司的零件分為三大類：小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺積電CoWoS的光學旋轉，稱為OMIB。...
DRAM是最常用的存儲器之一，速度非常快，但具有易失性特性，當電源關閉時，數據會消失。NAND閃存是一種存儲設備，讀/寫速度相對較慢，但它具有非易失性特性，即使在電源被切斷時也能保存數據。...
ONFI 由100多家制造、設計或使用 NAND 閃存的公司組成的行業工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存集成到消費電子產品、計算平臺以及其他需要大容量固態存儲的應用程序中的過程。...
在計算機運算速度發展的過程中，需要提高內存的讀寫速率，只能通過提高時鐘頻率來提高SDRAM的讀寫速率。由于溫度等因素的影響，SDRAM的內核時鐘頻率受限，無法進一步提升。...
工業級存儲的廣泛應用范圍涵蓋了工業PLC、工業HMI、工業網關、電力數據采集器、電力通訊管理器、工業控制、能源電力、軌道交通、電力DTU、運動控制器等多個領域，并在這些領域中扮演著至關重要的角色。...
如果選擇常規的 USB?C 接口，那么速度將限制在 1000MB/s 左右。例如體驗期間同時使用了 MacBook?Pro?16 (M1?Pro，2021) 進行測試，英睿達 X10?Pro 的順序讀取速度在 900MB/s，寫入速度在 850MB/s，性能與英睿達 X9?Pro 基本一致。...
非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。...
Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。...
溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構，并填充了導電材料，它們在每個存儲層之間形成導電通道，從而使電子能夠在在存儲單元間移動，進行讀取、寫入和擦除操作。...
SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據產品的不同，膜層的層數也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數。...
三星電子和SK海力士計劃在今年上半年量產下一代顯卡用內存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內存。...
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