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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:30

  CGH21240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH21240F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:16

  CGH21120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGH21120F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:13

  CGH21120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH21120F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:00

  CGH09120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH09120F 頻率：UHF – 2.5 GHz 操作 增益：21分貝增益 功率：-38 dBc ACLR，20 W PAVE

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 09:47

  CG2H80120D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CG2H80120D-GP4 PSAT功率：120 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 09:33

  CG2H80060D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CG2H80060D-GP4 PSAT功率：60 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:35

  C3M0160120J碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0160120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:27

  C2M0080120D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C2M0080120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓：-10/+25V 脈沖漏極電流：80A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:20

  C3M0075120K碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0075120K 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:14

  C3M0075120J碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0075120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15

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