三菱電機開始提供工業用第8代IGBT模塊樣品
三菱電機株式會社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣....
三菱電機將新建功率半導體模塊封裝與測試工廠
三菱電機集團近日宣布，將投資約100億日元，在日本福岡縣的功率器件制作所建設一座新的功率半導體模塊封....
三菱電機供應12英寸功率半導體芯片
三菱電機集團近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規....
三菱電機提供SiC MOSFET裸片樣品
近日，三菱電機集團宣布，將于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）....
SiC的離子注入工藝及其注意事項
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡....
三菱電機紅外傳感器國內首次亮相
三菱電機紅外傳感器采用三菱電機自主研發的熱敏二極管紅外傳感器技術，實現了高像素和高溫分辨率。即使在昏....
三菱電機發布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱電機集團近日宣布，開始為5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功....
三菱電機推出兩款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊
三菱電機集團近日宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統在內的大型工業設備提供低電流版本3.3k....
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