三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET,并將其產品化,率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中,是一家....
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件,廣泛應用于工業、汽車等領域。目前,....
三菱電機集團近日宣布,將投資約100億日元,在日本福岡縣的功率器件制作所建設一座新的功率半導體模塊封....
柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點介紹其與Si的不....
三菱電機集團近日宣布提供用于下一代光收發器的新型200Gbps PIN光電二極管(PD)芯片樣品,以....
三菱電機集團近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工廠即日起開始大規....
本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8....
SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學計量比組成的晶體,因其內部結構堆積順序的不同,形成不同的....
與Si材料相比,SiC半導體材料在物理特性上優勢明顯,比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等,使其....
SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本....
高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵,目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以....
SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過....
SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一,外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多....
近日,三菱電機集團宣布,將于11月14日開始提供用于電動汽車(EV)、插電式混合動力汽車(PHEV)....
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡....
三菱電機新開發了3.3kV金屬氧化物半導體場效應管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖....
三菱電機紅外傳感器采用三菱電機自主研發的熱敏二極管紅外傳感器技術,實現了高像素和高溫分辨率。即使在昏....
三菱電機集團近日宣布,開始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功....
三菱電機集團近日宣布,將推出一項基于網絡的服務,提供有關配備包含三個LV100絕緣柵雙極型晶體管(I....
三菱電機從事SiC器件開發和應用研究已有近30年的歷史,從基礎研究、應用研究到批量商業化,從2英寸、....
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT....
三菱電機集團近日宣布,從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統在內的大型工業設備提供低電流版本3.3k....
功率模塊從硅IGBT技術過渡到基于SiC MOSFET技術是不可避免的。然而,從硅IGBT時代留下來....
4月12日至14日,第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術年會在安徽宣城隆重舉辦,本屆會議由中國高校....
三菱電機集團近日(2024年3月21日)宣布,將于4月1日開始提供其新型光器件樣品——內置波長監視器....
2024年3月13日,2024年度海爾智家全球供應商合作伙伴大會在上海隆重舉行。
三菱電機集團近日(2024年2月27日)宣布,將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻(RF)高功....
三菱電機集團近日(2024年1月23日)宣布即將推出六款用于各種電動汽車(xEV)的新型J3系列功率....
在了解了DIPIPM失效分析的流程后是不是會很容易地找到市場失效的原因了呢?答案是否定的。不管是對收....
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業和....