功率器件與集成電路的區(qū)別
在電子工程領(lǐng)域,功率器件和集成電路是兩個(gè)重要的分支,它們各自在特定的應(yīng)用場景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于....
功率半導(dǎo)體器件知識(shí)科普
功率半導(dǎo)體通過對(duì)電流與電壓進(jìn)行調(diào)控實(shí)現(xiàn)電能在系統(tǒng)中的形式轉(zhuǎn)換與傳輸分配,能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,....
碳化硅器件封裝技術(shù)解析
碳化硅 ( SiC )具有禁帶寬、臨界擊穿場強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的....
什么是宇宙射線?宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理
眾所周知,IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件,失效后將....
可性能翻倍的新型納米片晶體管
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能....
碳化硅離子注入和退火工藝介紹
統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說,高溫?cái)U(kuò)散工....
SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化
本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱為柵極開關(guān)應(yīng)....
8英寸SiC晶體生長熱場的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
碳化硅(SiC)材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC....
碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
一是可以直接利用,特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域;二是它足夠多:據(jù)計(jì)算,海平面上,每平方米每天可產(chǎn)生1kW....
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢(shì)
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
芯片設(shè)計(jì)的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)概述
應(yīng)對(duì)網(wǎng)絡(luò)威脅正在成為芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)組成部分,并且更加昂貴和復(fù)雜。
FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 是提供適應(yīng)性強(qiáng)且可更改的硬件功能的半導(dǎo)體。它們包含各種可變邏輯單元和....
提高3D NAND閃存存儲(chǔ)密度的四項(xiàng)基本技術(shù)
增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久....
車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體/元器件認(rèn)證
因?yàn)槠囯妱?dòng)化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的來襲,全球性的汽車芯片缺貨,以及國內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的興起。汽車芯片產(chǎn)業(yè)....
2023年60%的私有小型基站RFFE仍依賴GAAS平臺(tái)
蜂窩專用網(wǎng)絡(luò)正在進(jìn)入一個(gè)充滿希望的商業(yè)階段,并在全球范圍內(nèi)傳播,這為需要解決新工業(yè)用例的 RAN 參....