寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件....
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芯長征科技 發表于 02-21 09:45
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IGBT器件的結構和工作原理
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芯長征科技 發表于 02-21 09:41
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圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設備的拓撲結構方案,
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芯長征科技 發表于 02-20 09:47
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晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便....
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芯長征科技 發表于 02-20 09:44
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半導體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠端制程。
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芯長征科技 發表于 02-19 16:43
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北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極....
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芯長征科技 發表于 02-19 11:23
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碳化硅功率半導體生產流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工....
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芯長征科技 發表于 01-25 09:51
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晶片切割是半導體器件制造的關鍵步驟，切割方式和質量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產成本，同....
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芯長征科技 發表于 01-23 09:42
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體二極管是MOS管中的一個重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結。由于把B極和S極短路了，因此....
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芯長征科技 發表于 01-23 09:39
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Chiplets（芯片堆疊）并不新鮮。其起源深深植根于半導體行業，代表了設計和制造集成電路的模塊化方....
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芯長征科技 發表于 01-19 09:45
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摘要：隨著人們環保意識的不斷提高，傳統的化石能源越來越無法滿足人們的要求，以太陽能為代表的可再生新能....
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芯長征科技 發表于 01-19 09:43
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SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（....
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芯長征科技 發表于 01-18 09:42
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這是電力電子領域令人興奮的時代。在硅占據主導地位數十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開....
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芯長征科技 發表于 01-18 09:40
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為適應未來大功率高壓快充發展趨勢，主流車企及充電運營商已經開始布局大功率快充樁。但高壓快充對充電樁的....
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芯長征科技 發表于 01-17 16:26
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碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導率等優異性能，在眾多高端....
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芯長征科技 發表于 01-17 09:38
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碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優異性能，在新能源汽車、光伏和....
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芯長征科技 發表于 01-16 09:46
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近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳....
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芯長征科技 發表于 01-15 10:44
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自20世紀70年代全球爆發石油危機以來，太陽能光伏發電技術引起了各國高度重視，光伏行業在全球迅速發展....
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芯長征科技 發表于 01-15 09:43
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逆變器在光伏系統中具有關鍵作用。
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芯長征科技 發表于 01-11 09:48
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摘要：通過調節中頻感應線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2....
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芯長征科技 發表于 01-11 09:42
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“功率器件”是指逆變器、轉換器等電力轉換設備以及安裝在其中的半導體元件。按功能劃分，有功率晶體管（M....
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芯長征科技 發表于 01-10 09:38
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實現雙電源自動切換電路，其中利用了三個MOS管進行的電路設計。
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芯長征科技 發表于 01-10 09:36
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SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優異的性能著稱，是一種用途廣泛....
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芯長征科技 發表于 01-09 09:41
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為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設計了串聯、并聯與串并聯三種冷板流道結構， 從器件溫升、....
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芯長征科技 發表于 01-04 09:45
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逆變器的分類方法很多，按照源流性質可分為有源逆變器和無源逆變器，根據逆變器輸入交流電壓相數可分為單相....
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芯長征科技 發表于 01-04 09:44
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摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體....
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芯長征科技 發表于 01-04 09:41
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IMEC 項目經理 Pawel Malinowski 與 Semiconductor Enginee....
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芯長征科技 發表于 01-03 09:44
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如今全球的汽車已經進入到智能化時代，汽車對于芯片的需求劇烈增加，以往一個傳統汽車需要的芯片數量是在五....
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芯長征科技 發表于 01-03 09:43
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為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結合BP（Back Propaga‐t....
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芯長征科技 發表于 01-03 09:41
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2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法....
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芯長征科技 發表于 12-29 09:51
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