北京中科同志科技股份有限公司文章

• 功率器件封裝新突破：納米銅燒結連接技術2024-12-07 09:58

  

  隨著第三代半導體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的快速發展，功率器件的性能要求日益提高。傳統的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環境下可靠服役的需求。納米銅燒結連接技術因其低溫連接、高溫服役、優異的導熱和導電性能，以及相對較低的成本，在功率器件封裝研究領域備受關注。本文將綜述納米銅燒結連接技術的研究進展，從納米銅焊膏的制備、影響燒結連接接頭

  功率器件 半導體材料 封裝 378瀏覽量

• BGA技術賦能倒裝芯片，開啟高密度I/O連接新時代2024-12-06 16:25

  

  近年來，隨著電子產品的不斷小型化和集成度的提高，倒裝芯片（Flip Chip）封裝技術因其優異的電學性能、高I/O引腳數、封裝尺寸小等優點，逐漸成為高端器件及高密度封裝領域中的主流封裝形式。而在倒裝芯片封裝技術中，球柵陣列（BGA, Ball Grid Array）作為一種重要的連接技術，發揮著不可替代的作用。本文將深入探討BGA在倒裝芯片工藝中的應用，分析

  BGA 半導體 芯片 377瀏覽量

• 半導體制造三要素：晶圓、晶粒、芯片的傳奇故事2024-12-05 10:39

  

  在半導體制造領域，晶圓、晶粒與芯片是三個至關重要的概念，它們各自扮演著不同的角色，卻又緊密相連，共同構成了現代電子設備的基石。本文將深入探討這三者之間的區別與聯系，揭示它們在半導體制造過程中的重要作用。

  半導體 晶圓 晶粒 芯片 745瀏覽量

• 真空共晶爐怎么選？看這一篇就夠了！2024-12-04 12:48

  

  在現代電子制造領域，真空共晶爐作為關鍵設備，其性能直接影響到焊接質量和生產效率。然而，面對市場上琳瑯滿目的產品，如何選購一臺既高效又可靠的真空共晶爐，卻成為許多企業面臨的難題。本文將從真空度、漏濾率、加熱板材質及冷卻方式等關鍵要素出發，為您揭示真空共晶爐選購的奧秘。

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• 精準把控DBC銅線鍵合工藝參數，打造卓越封裝品質2024-12-02 15:49

  

  在快速發展的半導體行業中，封裝技術扮演著至關重要的角色。隨著芯片性能的不斷提升，對封裝技術也提出了更高的要求。直接鍵合銅（Direct Bonded Copper，簡稱DBC）技術作為一種高效、可靠的封裝技術，近年來在微電子封裝領域得到了廣泛應用。本文將深入探討DBC銅線鍵合工藝參數的研究，以期為相關領域的工程師和技術人員提供參考和指導。

  DBC 半導體 封裝 303瀏覽量

• 揭秘BGA芯片植球技巧，打造完美電子連接！2024-11-29 15:34

  

  BGA（Ball Grid Array，球柵陣列封裝）芯片植球是電子元器件焊接領域中的一項重要技術，廣泛應用于IC芯片與PCB板的連接。本文將詳細介紹BGA芯片植球的幾種常見方法，包括手工植球、自動植球機植球和激光植球等，并探討每種方法的操作步驟、優缺點及適用范圍。

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• BGA芯片封裝凸點工藝：技術詳解與未來趨勢2024-11-28 13:11

  

  隨著集成電路技術的飛速發展，芯片封裝技術也在不斷進步，以適應日益增長的微型化、多功能化和高集成化的需求。其中，球柵陣列封裝（BGA）作為一種先進的封裝技術，憑借其硅片利用率高、互連路徑短、信號傳輸延時短以及寄生參數小等優點，迅速成為當今中高端芯片封裝領域的主流。在BGA芯片封裝中，凸點制作工藝是至關重要的一環，它不僅關系到封裝的可靠性和性能，還直接影響到封裝

  BGA 芯片封裝 集成電路 508瀏覽量

• 碳化硅外延技術：解鎖第三代半導體潛力2024-11-27 09:54

  

  碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導體材料的代表，以其優異的物理和化學特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領域展現出了巨大的應用潛力。在碳化硅產業鏈中，外延技術作為連接襯底與器件制造的關鍵環節，其質量和性能直接決定著碳化硅器件的整體表現。本文將深入探討碳化硅外延技術的核心地位、技術特點、應用挑戰以及未來發展趨勢。

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• 深入剖析：封裝工藝對硅片翹曲的復雜影響2024-11-26 14:39

  

  在半導體制造過程中，硅片的封裝是至關重要的一環。封裝不僅保護著脆弱的芯片免受外界環境的損害，還提供了芯片與外部電路的連接通道。然而，封裝過程中硅片的翹曲問題一直是業界關注的重點。硅片的翹曲不僅影響芯片的可靠性和性能，還可能導致封裝過程中的良率下降。本文將深入探討不同封裝工藝對硅片翹曲的影響，以期為優化封裝工藝、提高產品質量提供理論依據。

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• 微電子封裝用Cu鍵合絲，挑戰與機遇并存2024-11-25 10:42

  

  在微電子封裝領域，鍵合絲作為芯片與封裝引線之間的連接材料，扮演著至關重要的角色。隨著科技的進步和電子產品向高密度、高速度和小型化方向發展，鍵合絲的性能和材料選擇成為影響封裝質量的關鍵因素之一。近年來，Cu鍵合絲因其低廉的成本、優異的導電導熱性能以及良好的可靠性，逐漸替代傳統的Au鍵合絲，成為微電子封裝中的主流材料。本文將探討微電子封裝用Cu鍵合絲的研究進展，

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