12月27日，浙江芯微泰克半導體有限公司（以下簡稱“芯微泰克”）功率器件超薄芯片背道加工線項目正式通....
AlN單晶襯底以其優異的性能和潛在的應用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運（PVT）是最適....
氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢
III族氮化物半導體可用于固態照明、電源和射頻設備的節能。
SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）....
隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料....
硅光子是一種光子集成電路，經過幾十年的發展，硅光子學已經取得了重大進展
SiC材料具有優異的高溫穩定性、耐腐蝕性、熱導性能和機械強度等優勢，因此受到廣泛關注和應用。
近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發和市場導入速度加快，但與....
利用具有窄波峰寬和精確可調峰值的色轉換材料是當今電視和顯示器背光中獲得寬色域 (WCG) 的常見方法....
當前，SiC器件已廣泛應用在新能源車的主驅、OBC等關鍵部件，有效的降低了提升了開關速度，降低了能量....
近日，武漢大學工業科學研究院袁超課題組和斯洛伐克科學院Filip Gucmann課題組合作，在國際權....
當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發展方向。
12 月 22 日消息，據意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議....
熱管理在當代電子系統中至關重要，而金剛石與半導體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
SiC器件在擊穿場強、熱導率、熔點、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優勢。
電能質量控制產品的性能指標不僅與控制系統的性能指標及控制算法密不可分，也與電力電子功率器件的性能指標....
電源模塊的高級封裝是非常重要。包裝優化是提高性能的解決方案之一。
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產生的熱量和由此引起的溫升會導致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需....
碳化硅功率器件具有高壓高功率領域等優勢，市場廣闊，應用場景廣泛。也被認為是下一代800V電動汽車電驅....
三五族氮化物半導體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨特的直接帶隙半導體特性和從0....
磨削和研磨等磨料處理是生產半導體芯片的必要方式，然而研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致....
近日，鐳昱半導體（Raysolve）宣布完成Pre-A3輪融資，本輪融資由華映資本領投，三七互娛及米....
過去幾十年里，半導體技術快速發展，芯片特性顯著提升。大功率半導體器件是由多顆半導體裸芯片通過封裝集成....
在新能源產業強勁需求下，全球SiC產業步入高速成長期，推升了對SiC襯底產能的需求。
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領域具有廣闊的應用前景....
GaN因其特性，作為高性能功率半導體 材料而備受關注，近年來其開發和市場導入不斷加速。
近年來，隨著通信技術的迅速發展以及人們對顯示色彩和實用性的追求，顯示技術呈現多元化的發展。
碳化硅具有高熱導率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學穩定性、GaN的近晶格常數和....
近日，據路透社消息，東芝和羅姆表示，他們將投資 3883 億日元（27 億美元）聯合生產功率芯片。
工商網監