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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

文章:273 被閱讀:30.5w 粉絲數(shù):16 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):1

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碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的應(yīng)用

隨著全球及國內(nèi)在新能源汽車、新能源發(fā)電和儲能等終端市場需求的快速增長,行業(yè)對碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-14 09:25 ?1568次閱讀
碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的應(yīng)用

英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動器的氮化鎵GaN器件

在最近的IEDM大會上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-14 09:23 ?1174次閱讀
英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動器的氮化鎵GaN器件

SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-13 09:39 ?1089次閱讀
SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

瞻芯電子:碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案

碳化硅(Silicon Carbide)是C元素和Si元素形成的化合物。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-13 09:37 ?767次閱讀
瞻芯電子:碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案

面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機(jī)械、熱學(xué)和電學(xué)性能,在電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,可以支撐和固定半導(dǎo)體....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-12 09:35 ?778次閱讀
面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

SiC MOSFET器件存在可靠性問題,成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-12 09:33 ?1018次閱讀
提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

基于半導(dǎo)體激光器件的高級光學(xué)建模與仿真

VCSEL是很有發(fā)展前景的新型光電器件,也是光通信中革命性的光發(fā)射器件。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-12 09:32 ?1159次閱讀
基于半導(dǎo)體激光器件的高級光學(xué)建模與仿真

基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

第三代半導(dǎo)體,具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 16:43 ?1969次閱讀
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢

Micro LED具有低功耗、高亮度、高分辨率等優(yōu)點(diǎn),有數(shù)據(jù)顯示,受智能穿戴和超高清大屏顯示需求影響
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 16:40 ?4108次閱讀
Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢

顯示用Micro-LED芯片與集成技術(shù)新進(jìn)展

近日,在廈門召開的第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCH....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 16:38 ?1468次閱讀
顯示用Micro-LED芯片與集成技術(shù)新進(jìn)展

Micro LED新型投影顯示技術(shù)展望

“十四五”以來,基于自發(fā)光顯示的微投影顯示光學(xué)系統(tǒng)成為了研究熱點(diǎn)。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 15:53 ?1429次閱讀
Micro LED新型投影顯示技術(shù)展望

Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)突破

當(dāng)前,Micro-LED顯示是備受關(guān)注的新一代顯示技術(shù),具備高質(zhì)量顯示的大多數(shù)特征;
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 15:51 ?2066次閱讀
Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)突破

高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能研究

近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇在廈門國際會議中心召開。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 15:48 ?1444次閱讀
高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能研究

GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于廈....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 14:49 ?1702次閱讀
GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體

近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 14:47 ?1290次閱讀
利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體

Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性,例如寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 14:45 ?1035次閱讀
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資

近日,第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資,這是晶湛公司繼2022年完成....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:49 ?944次閱讀

IDC預(yù)測2024年全球半導(dǎo)體市場八大趨勢

根據(jù)IDC(國際數(shù)據(jù)資訊)最新研究顯示,隨著全球人工智能(AI)、高性能計算(HPC)需求爆發(fā)式提升....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:30 ?1394次閱讀

GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器研究

以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場,高電子飽和速度,高頻和高功率等特性,在射頻和電力電子器件....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:28 ?1331次閱讀
GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器研究

增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進(jìn)展

作為寬帶隙材料,GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高,以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:26 ?1480次閱讀
增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進(jìn)展

助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

GaN性能優(yōu)異,在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛,發(fā)展?jié)摿薮螅贿M(jìn)一步發(fā)展,需提升材料質(zhì)量,制備高質(zhì)量氮....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:24 ?1262次閱讀

產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能?

由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級應(yīng)用的后起之秀,例如汽車、光....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-08 14:33 ?963次閱讀

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)

氮化鎵(GaN)功率器件具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流(DC....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-06 10:04 ?894次閱讀
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)

陳敬教授:面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)

近日,在第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇開幕大會上,香港科技大學(xué)講席教授陳....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-05 15:07 ?1292次閱讀
陳敬教授:面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)

清軟微視周繼樂:化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測技術(shù)

清軟微視是清華大學(xué)知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè),專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-05 14:54 ?2193次閱讀
清軟微視周繼樂:化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測技術(shù)

淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個基礎(chǔ)問題

功率電子材料和器件研發(fā)基本與國際同步,GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域,更全電壓等級,從當(dāng)前100V....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-05 11:38 ?873次閱讀
淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個基礎(chǔ)問題

全球SiC晶圓市場預(yù)計2030年達(dá)21億美元!市場+技術(shù)趨勢深度分析

高溫、高頻和高功率應(yīng)用需求:碳化硅在高溫、高頻和高功率電子器件中表現(xiàn)出色,因此受到這些應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-24 16:07 ?1161次閱讀
全球SiC晶圓市場預(yù)計2030年達(dá)21億美元!市場+技術(shù)趨勢深度分析

小米汽車來了!碳化硅助力整車低能耗

值得注意的是,在動力方面,根據(jù)申報信息顯示,小米SU7提供單電機(jī)后驅(qū)和雙電機(jī)四驅(qū)可選,其中單電機(jī)最大....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-17 16:49 ?868次閱讀
小米汽車來了!碳化硅助力整車低能耗

基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表,由于其禁帶寬度和擊穿場強(qiáng)遠(yuǎn)高于GaN,不僅可在更高場強(qiáng)、更高工....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-15 10:45 ?1605次閱讀
基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

華為新一代碳化硅電機(jī)發(fā)布:22000轉(zhuǎn)/分、零百加速3.3秒

電機(jī)將首發(fā)搭載于智界S7,四驅(qū)版配有前150千瓦交流異步電驅(qū)系統(tǒng),后215千瓦永磁同步電驅(qū)。得益于此....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-14 15:46 ?1211次閱讀
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